SI7850DP-T1-E3 [VISHAY]

N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET; N通道60 -V （D -S ）快速开关MOSFET


元器件型号：	SI7850DP-T1-E3
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET N通道60 -V （D -S ）快速开关MOSFET 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管 PC
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型号参数：SI7850DP-T1-E3参数
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	0.76
Samacsys Confidence	4
Samacsys Status	Released
Schematic Symbol
PCB Footprint
Samacsys PartID	236236
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count	8
Samacsys Part Category	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category	Other
Samacsys Footprint Name	PowerPAK? SO-8 Single_1-1
Samacsys Released Date	2019-05-19 10:18:48
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	11 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	6.2 A
最大漏源导通电阻	0.022 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-F5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	74 ns
最大开启时间（吨）	40 ns
Base Number Matches	1