SI7858BDP [VISHAY]
N-Channel 12 V (D-S) MOSFET; N沟道12 V （D -S ）的MOSFET
| 元器件型号： | SI7858BDP |
| 生产厂家： | 
VISHAY TELEFUNKEN
|
| 描述和应用： | N-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
| PDF文件： | 总13页 (文件大小：515K) |
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| 型号参数：SI7858BDP参数 | |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | SILICONIX INC |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.29 |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 18 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码 | e0 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5.4 W |
| 子类别 | FET General Purpose Power |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
- SI7852ADP-T1-GE3
- SI7852ADP-T1-E3
- SI7852ADP
- SI7850DP_09
- SI7850DP-T1-GE3
- SI7850DP-T1-E3
- SI7850DP
- SI7844DP
- SI7840DP
- SI7840BDP
- SI7824
- SI7818
- SI7815
- SI7812DN-T1-GE3
- SI7812DN-T1-E3
- SI7812DN
- SI7812
- SI7810DN_06
- SI7810DN
- SI7810
- SI7809
- SI7808
- SI7806
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- SI7802DN
- SI7794DP-T1-GE3
- SI7794DP
- SI7792DP-T1-GE3
- SI7792DP
- SI7774DP-T1-GE3
- SI7774DP
- SI7772DP-T1-GE3
- SI7772DP
- SI7748DP-T1-GE3
- SI7748DP
- SI7738DP
- SI7703EDN
- SI7686DP
- SI7634BDP-T1-GE3
- SI7634BDP-T1-E3
- SI7634BDP
- SI7629DN-T1-GE3
- SI7629DN
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- SI7625DN
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- SI7540DP-T1-GE3
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- SI7540DP
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- CL1501-L
- SI7462DP
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- SI7461DP
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- SI7460DP-T1-GE3
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- SI7460DP
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- SI7456DP
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- SI7454DP
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- SI7434DP
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- SI7421DN
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- SI7415DN
- SI7414DN_08
- SI7414DN-T1-GE3
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- SI7414DN
- SI7411DN
- CL20M45
- CL220
- CL220K4-G
- CL220N5-G
- CL240A05
- CL240A10
- CL240D05
- CL240D10
- S1KW48KA-3
- S1KL
- S1KL
- S1KB
- S1KB
- S1KA