SI7960DP-T1-E3 [VISHAY]

Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET; 双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET


元器件型号：	SI7960DP-T1-E3
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 双N通道60 -V （D -S ）的MOSFET
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型号参数：SI7960DP-T1-E3参数
是否无铅	不含铅
生命周期	Obsolete
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C6
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.8
雪崩能效等级（Eas）	27 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6.2 A
最大漏极电流 (ID)	6.2 A
最大漏源导通电阻	0.021 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-C6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Powers
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1