SI8424DB-T1-E1 [VISHAY]

N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET; N沟道1.2 -V （G -S ）的MOSFET


元器件型号：	SI8424DB-T1-E1
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET N沟道1.2 -V （G -S ）的MOSFET 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
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型号参数：SI8424DB-T1-E1参数
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Obsolete
包装说明	GRID ARRAY, S-PBGA-X4
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	8.53
Is Samacsys	N
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	12.2 A
最大漏极电流 (ID)	8.1 A
最大漏源导通电阻	0.077 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PBGA-X4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	6.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1