SI8499DB-T2-E1 [VISHAY]

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET; P沟道20 V (D -S )的MOSFET
SI8499DB-T2-E1
元器件型号: SI8499DB-T2-E1
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
P沟道20 V (D -S )的MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
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型号参数:SI8499DB-T2-E1参数
是否无铅 不含铅
生命周期Active
IHS 制造商VISHAY SILICONIX
包装说明GRID ARRAY, R-PBGA-B6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级1.53
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)16 A
最大漏极电流 (ID)16 A
最大漏源导通电阻0.046 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PBGA-B6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)13 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1