SI8902EDB-T2-E1 [VISHAY]

Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET; 双向N通道20 -V （D -S ）的MOSFET


元器件型号：	SI8902EDB-T2-E1
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 双向N通道20 -V （D -S ）的MOSFET 晶体小信号场效应晶体管开关
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型号参数：SI8902EDB-T2-E1参数
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Obsolete
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
零件包装代码	CSP
包装说明	GRID ARRAY, R-XBGA-B6
针数	6
制造商包装代码	MICRO FOOT
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.23
Is Samacsys	N
其他特性	ESD PROTECTED, ULTRA-LOW RESISTANCE
配置	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	3.9 A
最大漏源导通电阻	0.072 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XBGA-B6
JESD-609代码	e1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.7 W
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1