SI8902EDB [VISHAY]

Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET; 双向N通道20 -V (D -S )的MOSFET
SI8902EDB
元器件型号: SI8902EDB
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
双向N通道20 -V (D -S )的MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管
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型号参数:SI8902EDB参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商SILICONIX INC
零件包装代码CSP
包装说明,
针数6
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.27
Is SamacsysN
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.7 W
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1