元器件型号: | SI9529DY |
生产厂家: | VISHAY TELEFUNKEN |
描述和应用: | Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET |
PDF文件: | 总7页 (文件大小:59K) |
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型号参数:SI9529DY参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.8 |
Is Samacsys | N |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET
双N沟道和P沟道2.5 -V (G -S )额定MOSFET