SI9956DY [VISHAY]

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET; 双N通道20 -V (D -S )的MOSFET
SI9956DY
元器件型号: SI9956DY
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET

晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管
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型号参数:SI9956DY参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明SOP-8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.75
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)14 A
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1