元器件型号: | SI9956DY |
生产厂家: | VISHAY TELEFUNKEN |
描述和应用: | Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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型号参数:SI9956DY参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | SOP-8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.75 |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 14 A |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET