TN0201K-T1-E3 [VISHAY]

N-Channel 20−V (D−S) MOSFET; N通道20 -V (D -S )的MOSFET
TN0201K-T1-E3
元器件型号: TN0201K-T1-E3
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

N-Channel 20−V (D−S) MOSFET
N通道20 -V (D -S )的MOSFET

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型号参数:TN0201K-T1-E3参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.64
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.42 A
最大漏极电流 (ID)0.42 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Powers
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1