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4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
光电耦合器,光电晶体管输出,带底座的连接
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
接口与普通逻辑系列
输入输出耦合电容<为0.5pF
行业标准双列6行脚封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179004
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
机构认证
•保险商实验室文件# E52744
• DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
e3
Pb
无铅
应用
交流电源检测
干簧继电器驱动
开关电源的反馈
电话振铃检测
逻辑接地隔离
高频噪声抑制耦合逻辑
这些隔离进程和威世ISO9001
质量计划结果中最高的隔离perfor-
曼斯可用于COMMECIAL塑料phototransis-
光耦器。
该器件采用无铅形成的配置可
灰适于表面安装,并且可
无论是在磁带和卷轴,或在标准管船
容器。
注意:
数据表设计是盖在应用笔记45
订购信息
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
4N35-X006
4N35-X007
4N35-X009
4N36-X007
4N36-X009
4N37-X006
4N37-X009
备注
CTR > 100 % , DIP - 6
CTR > 100 % , DIP - 6
CTR > 100 % , DIP - 6
CTR > 20 % , DIP - 6
CTR > 100 % , DIP - 6 400万(选项6 )
CTR > 100 % , SMD - 6 (选项7 )
CTR > 100 % , SMD - 6 (选件9 )
CTR > 100 % , SMD - 6 (选项7 )
CTR > 100 % , SMD - 6 (选件9 )
CTR > 100 % , DIP - 6 400万(选项6 )
CTR > 100 % , SMD - 6 (选件9 )
描述
本数据手册介绍了威世行业的五大家族
试着标准单通道光电晶体管Cou-
plers.These家庭包括4N35 / 4N36 / 4N37 /
4N38耦合器。
每个光耦合器由砷化镓基础设施
红色LED和硅NPN光电晶体管。
这些耦合器是美国保险商实验室( UL )
上市遵从5300 V
RMS
隔离测试电压
年龄。
这种隔离性能是通过完成
Vishay的双重注塑制造隔离亲
塞斯。 Comliance符合DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 ) /
DIN EN 60747-5-5未决的局部放电隔离
规范可以为这些家庭通过订购
选项​​1 。
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
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4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
10
µs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
(t
1.0毫秒)
功耗
测试条件
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
最大。 10秒浸焊:
距离飞机座位
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
7.0
7.0
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
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4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
前锋
电压
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安,T
AMB
= - 55 °C
反向电流
1)
电容
1)
符号
V
F
V
F
I
R
C
O
0.9
典型值。
1.3
1.3
0.1
25
最大
1.5
1.7
10
单位
V
V
µA
pF
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
表示JEDEC注册的值
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
1)
测试条件
I
C
= 1.0毫安
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
30
30
30
80
7.0
70
70
70
80
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
发射极 - 集电极击穿
电压
1)
集电极 - 基极击穿
电压
1)
I
E
= 100
µA
I
C
= 100
µA,
I
B
= 1.0
µA
4N35
4N36
4N37
4N38
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
集电极 - 射极漏泄
当前
1)
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
4N35
4N36
5.0
5.0
5.0
50
50
50
50
500
500
500
nA
nA
nA
nA
µA
µA
µA
µA
pF
V
CE
= 10 V,I
F
=0
V
CE
= 60 V,I
F
= 0
V
CE
= 30 V,I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
4N37
4N38
4N35
4N36
4N37
V
CE
= 60 V,I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
集电极 - 发射极电容
1)
4N38
6.0
6.0
V
CE
= 0
表示JEDEC注册的值
耦合器
参数
电阻,输入到输出
1)
电容(输入输出)
1)
测试条件
V
IO
= 500 V
F = 1.0 MHz的
符号
R
IO
C
IO
10
11
典型值。
0.5
最大
单位
pF
表示JEDEC注册的值
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3
4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
电流传输比
参数
直流电流传输比
1)
测试条件
V
CE
= 10 V,I
F
= 10毫安
部分
4N35
4N36
4N37
V
CE
= 10 V,I
F
= 20毫安
V
CE
= 10 V,I
F
= 10毫安,
T
A
= - 55至+ 100°C
4N38
4N35
4N36
4N37
4N38
1)
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
100
100
100
20
40
40
40
典型值。
最大
单位
%
%
%
%
50
50
50
30
%
%
%
%
表示JEDEC注册的值
开关特性
参数
开关时间
1)
1)
测试条件
I
C
= 2毫安,R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
, t
关闭
典型值。
10
最大
单位
µs
表示JEDEC注册的值
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
1.4
1.3
V
F
- 正向电压 - V
NCTR - Normlized CTR
1.5
T
A
= –55°C
T
A
= 25°C
标准化为:
VCE = 10 V,I
F
= 10毫安,T
A
=25°C
CTRce (SAT)的Vce = 0.4 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
10
I
F
- 正向电流 - 毫安
100
T
A
= 85°C
1.0
T
A
=25°C
0.5
NCTR ( SAT )
NCTR
0.0
0
i4n25_02
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
i4n25_01
图1.正向电压与正向电流
图2.归非饱和与饱和CTR与LED
当前
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4
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威世半导体
1.5
NCTR - 归CTR
冰 - 集电极电流 - 毫安
标准化为:
VCE = 10 V,I
F
= 10毫安,T
A
=25°C
CTRce (SAT)的Vce = 0.4 V
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70°C
25°C
85°C
50°C
1.0
T
A
=50°C
0.5
NCTR ( SAT )
NCTR
0.0
.1
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
I
F
- LED电流 - 毫安
i4n25_06
i4n25_03
图3.归非饱和与饱和CTR与LED
当前
图6.集电极 - 发射极电流与温度和LED
当前
1.5
NCTR - 归CTR
ICEO - 集电极发射极 - NA
标准化为:
VCE = 10 V,I
F
= 10毫安,T
A
=25°C
CTRce (SAT)的Vce = 0.4 V
10
10
10
5
4
3
1.0
T
A
=70°C
10
2
10
10
1
0
V
ce
= 10 V
典型
0.5
NCTR ( SAT )
NCTR
10
–1
10
–2
–20
0
20
40
60
80
100
0.0
.1
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
T
A
- 环境温度 - C
i4n25_07
i4n25_04
图4.归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图7.集电极 - 发射极漏电流vs.Temp 。
1.5
NCTR - 归CTR
NCTRcb - 归CTRcb
标准化为:
VCE = 10 V,I
F
= 10毫安,T
A
=25°C
CTRce (SAT)的Vce = 0.4 V
1.5
标准化为:
VCB = 9.3 V,I
F
= 10毫安,T
A
=25
°C
1.0
T
A
=85°C
1.0
0.5
NCTR ( SAT )
NCTR
0.5
25°C
50°C
70°C
0.0
.1
1
10
100
0.0
.1
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
I
F
- LED电流 - 毫安
i4n25_08
i4n25_05
图5.归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图8.归CTRcb与LED电流和温度。
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