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550D
日前,Vishay斯普拉格
固体电解质Ť
ANTALEX®
电容器
高频电源
特点
•密封的,轴向引线固体钽电容器
•体积小,寿命长
•优异的电容稳定性和优异的耐
到恶劣的环境条件
•军事相当于是有资格的CSR21
MIL-C-39003/09
应用
在上述设计的电源滤波应用
100kHz
性能特点
工作温度:
- 55 ° C至+ 85°C 。 (至+ 125°C
与电压降额。 )
电容容差:
在120赫兹, + 25°C 。
±
20%和
±
10 %的标准。
±
作为一个特殊的5%。
耗散因数:
在120赫兹, + 25°C 。耗散因数,
从表达2πfRC确定,不得超过
列入评分标准表中的值。
直流漏电流( DCL最大) :
在+ 25
°
C:
泄漏电流不应超过的值
在标准评分表中列出。
在+ 85
°
C:
泄漏电流不应超过10倍
在标准评分表中列出的值。
在125
°
C:
泄漏电流不应超过15倍
在标准评分表中列出的值。
寿命测试:
电容器应能承受额定直流电压
应用在+ 85°C 2000小时或降级直流电压
施加在+ 125 ℃下进行1000小时。
以下寿命试验:
1. DCL不得超过最初要求的125% 。
2.损耗因数应达到初步要求。
3.更改电容不得超过
±
5%.
订购信息
550D
模型
006
2
R
直流电压
CASE伴奏编号
评级为+ 85°C
CODE
这被表示在
这表现在皮法。在X0 =
±
20%
看到等级2 =绝缘
伏。要完成
前两个数字是显著的数字。 X9 =
±
10%
套。
与案例
三位块,归零码表。
第三个是零的数
X5 =
±
5%
随之而来。标准电容额定值
特殊订单。之前的电压
投资评级。
是符合EIA优选
数列在可能的情况。
157
电容
X0
电容
公差
T
包装
T =卷带式
尺寸
以英寸[毫米]
1.500
±
0.250
[38.10
±
6.35]
L
1.500
±
0.250
[38.10
±
6.35]
D
DIA 。
实心镀锡
LEADS
J
马克斯。
0.047 [ 1.19 ] MAX 。
0.125 [ 3.18 ] MAX 。
带绝缘套管*
CASE CODE
R
S
D
0.289
±
0.016
[7.34
±
0.41]
0.351
±
0.016
[8.92
±
0.41]
L
0.686
±
0.031
[17.42
±
0.79]
0.786
±
0.031
[19.96
±
0.79]
J(下MAX 。 )
0.822
[20.88]
0.922
[23.42]
AWG NO 。
22
22
导线规格
NOM 。 DIA 。
0.025
[0.64]
0.025
[0.64]
*当一个收缩配合绝缘的情况下,它应搭接在该电容器主体的端部。
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如有技术问题,请联系tantalum@vishay.com
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550D
固体电解质Ť
ANTALEX®
电容器
高频电源
标准级别
电容
(
µ
F)
CODE
零件号*
帽。托尔。
±
20%
零件号*
帽。托尔。
±
10%
马克斯。 DCL
@ + 25
°
C
(
µ
A)
马克斯。 DF
@ + 25
°
C
1kHz
(%)
马克斯。 ESR
@ + 25
°
C
100kHz
(欧姆)
日前,Vishay斯普拉格
6 WVDC @ + 85
°
C, SURGE = 8 V 。 。 。 4 WVDC @ + 125
°
C, SURGE = 5 V
150
180
220
270
330
R
R
S
S
S
550D157X0006R2
550D187X0006R2
550D227X0006S2
550D277X0006S2
550D337X0006S2
550D157X9006R2
550D187X9006R2
550D227X9006S2
550D277X9006S2
550D337X9006S2
9
11
12
13
15
10
10
10
10
12
0.065
0.060
0.055
0.050
0.045
10 WVDC @ + 85
°
C, SURGE = 13 V 。 。 。 7 WVDC @ + 125
°
C, SURGE = 9 V
82
100
120
150
180
220
R
R
R
S
S
S
550D826X0010R2
550D107X0010R2
550D127X0010R2
550D157X0010S2
550D187X0010S2
550D227X0010S2
550D826X9010R2
550D107X9010R2
550D127X9010R2
550D157X9010S2
550D187X9010S2
550D227X9010S2
8
10
12
15
18
20
8
8
8
8
8
10
0.085
0.075
0.070
0.065
0.060
0.055
15 WVDC @ + 85
°
C, SURGE = 20 V 。 。 。 10 WVDC @ + 125
°
C, SURGE = 12 V
56
68
82
100
120
150
R
R
S
S
S
S
550D566X0015R2
550D686X0015R2
550D826X0015S2
550D107X0015S2
550D127X0015S2
550D157X0015S2
550D566X9015R2
550D686X9015R2
550D826X9015S2
550D107X9015S2
550D127X9015S2
550D157X9015S2
8
10
12
15
18
20
6
6
6
8
8
8
0.100
0.095
0.085
0.075
0.070
0.065
20 WVDC @ + 85
°
C, SURGE = 26 V 。 。 。 13 WVDC @ + 125
°
C, SURGE = 16 V
27
33
39
47
56
68
82
100
R
R
R
R
S
S
S
S
550D276X0020R2
550D336X0020R2
550D396X0020R2
550D476X0020R2
550D566X0020S2
550D686X0020S2
550D826X0020S2
550D107X0020S2
550D276X9020R2
550D336X9020R2
550D396X9020R2
550D476X9020R2
550D566X9020S2
550D686X9020S2
550D826X9020S2
550D107X9020S2
5
7
8
9
11
14
16
20
5
5
5
6
6
6
6
8
0.145
0.130
0.120
0.110
0.100
0.095
0.085
0.075
35 WVDC @ + 85
°
C, SURGE = 46 V 。 。 。 23 WVDC @ + 125
°
C, SURGE = 28 V
8.2
10
12
15
18
22
27
33
39
47
R
R
R
R
R
R
S
S
S
S
550D825X0035R2
550D106X0035R2
550D126X0035R2
550D156X0035R2
550D186X0035R2
550D226X0035R2
550D276X0035S2
550D336X0035S2
550D396X0035S2
550D476X0035S2
550D825X9035R2
550D106X9035R2
550D126X9035R2
550D156X9035R2
550D186X9035R2
550D226X9035R2
550D276X9035S2
550D336X9035S2
550D396X9035S2
550D476X9035S2
3
4
4
5
6
8
9
11
14
16
4
4
4
4
4
4
4
5
5
5
0.250
0.230
0.210
0.190
0.175
0.160
0.145
0.130
0.120
0.110
50 WVDC @ + 85
°
C, SURGE = 65 V 。 。 。 33 WVDC @ + 125
°
C, SURGE = 40 V
550D565X0050R2
R
550D565X9050R2
5.6
550D685X0050R2
R
550D685X9050R2
6.8
550D825X0050R2
R
550D825X9050R2
8.2
550D106X0050R2
R
550D106X9050R2
10.0
550D126X0050R2
R
550D126X9050R2
12.0
550D156X0050R2
R
550D156X9050R2
15.0
550D186X0050R2
R
550D186X9050R2
18.0
550D226X0050S2
S
550D226X9050S2
22.0
*插入电容公差代号为"X5"
±
5 %为单位(特殊订货) 。
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修订版11月11日 - 04
4
4
5
5
6
8
9
11
3
3
3
3
3
3
4
4
0.300
0.275
0.250
0.230
0.210
0.190
0.175
0.160
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ANTALEX®
电容器
高频电源
& QUOT ; A& QUOT ;
磁带和卷轴包装
以英寸[毫米]
13 [330.2]
标准卷带
TAPE SPACING
B
1.126至3.07
[ 28.6至78.0 ]
内径REEL HUB
1.374到3.626
[ 34.9至92.1 ]
A
部件
间距
0.047 [ 1.19 ] MAX 。
关中心
(1.a)
0.125 [ 3.18 ] MAX 。
0.250 [6.35] (3.b)
0.625
±
0.062
[15.88
±
1.57]
DIA 。通孔
LABEL ( 4.A )
& QUOT ; A& QUOT ;
0.750 [19.05]
第"A" - "A"
0.031 [0.79] (3.f)
(两侧) ( 3.F )
550D型带单位
绝缘套管
CODE
R
S
导线规格
部件
间距
TAPE
间距
单位每卷
D
L
J(下MAX 。 ) AWG NO 。 NOM 。 DIA 。
0.822
[20.88]
0.922
[23.42]
22
22
0.025
[0.64]
0.025
[0.64]
A
0.400
±
0.015
[10.16
±
0.38]
0.400
±
0.015
[10.16
±
0.38]
B
2.875
±
0.062
[73.03
±
1.57]
2.875
±
0.062
[73.03
±
1.57]
500
500
0.289
±
0.016 0.686
±
0.031
[7.34
±
0.41] [17.42
±
0.79]
0.351
±
0.016 0.786
±
0.031
[8.92
±
0.41] [19.96
±
0.79]
标准卷带封装信息
1.组件信息:
一。元件引线不得弯曲超过0.047"
[ 1.19毫米]最大从其正常位置时,
从元件引脚的上升沿测
在内侧带边缘,并在从所述引出口
组件。
B 。在“C”尺寸应由总长度管辖
卷筒包装组分。之间的距离
法兰应为0.125"到0.250" [ 3.18毫米到6.35毫米]
比整个组件长度更大。
2.定位:
一。所有偏振分量必须面向1
方向。阴极引线带应是一种颜色,所述
阳极引线带应为白色。
3.缫丝:
一。在任何转轴部件,不代表多
当日期码识别是两个日期代码
所需。
B 。元件引线应放置双间
0.250" [ 6.35毫米]磁带。
Ç 。一次性卷轴有集线器与波纹纤维
板法兰和核心或同等学历。
ð 。最少12" [ 304.8毫米]大盘组长须
前所述第一和最后一个组分后提供
卷轴。
Ë 。 50 60英镑牛皮纸必须的层之间缠绕
据所必需的元件的保护元件。
宽度的纸张为0.062"到0.250" [ 1.57毫米到6.35毫米]
比卷筒的“C”的尺寸更小。
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F。组件的行必须带之间居中
±
0.047" [ 1.19毫米] 。另外,各个部件
可能偏离分量排中心
±
0.031"
[0.79mm].
克。缝钉不得用于剪接。不超过4个
胶带层层不得以任何剪接地区使用,不
胶带应来自另一个由多0.031"偏移
[ 0.79毫米]非累积。胶带接头处应重叠
至少6" [ 152.4毫米]的对接接头和至少3" [ 76.2毫米]
对于搭接接头,并应不低于未剪接带弱。
万向接头夹,也可以使用。
小时。每卷数量应当加以控制,使胶带
组件和盖不应超出
(无论是跨单位最小法兰的尺寸或
直径)。一旦每卷的数量为每个部件编号
已经建立,将来订单的部分数
应包装在量。当订单或释放
量小于既定数量,一个标准
商业包装是被使用。
我。最多每卷数量的组件0.25 %
可能会丢失不连续缺失的部分。
学家充分的保护,必须采取措施防止物理
损害双方在运输过程中卷轴和组件
和存储。
4.标记:
一。最小盘和包装箱标志应包括的
以下内容:客户编号,采购订单号,
数量,包装日期,制造商名称,电气
值,日期代码,日前,Vishay斯普拉格部件号和
原产地。
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550D
日前,Vishay斯普拉格
典型曲线@ + 25 ° C,阻抗和ESR与频率
10
10
阻抗
ESR
1
1
阻抗
ESR
330μF , 6 V
180μF , 6 V
0.1
180μF , 6 V
220μF , 10 V
120μF , 10 V
0.1
120μF , 10 V
330μF , 6 V
.01
100
1K
10K
100K
1M
10M
频率,单位为赫兹
.01
100
1K
220μF , 10 V
10K
100K
频率,单位为赫兹
1M
10M
10
10
阻抗
ESR
1
1
150μF , 15 V
68μF , 15 V
68μF , 15 V
0.1
100μF , 20 V
47μF , 20 V
阻抗
ESR
47μF , 20 V
0.1
150μF , 15 V
.01
100
1K
10K
100K
频率,单位为赫兹
1M
10M
.01
100
100μF , 20 V
1K
10K
100K
频率,单位为赫兹
1M
10M
10
10
47μF , 35 V
1
阻抗
ESR
1
22μF , 50 V
阻抗
ESR
22μF , 35 V
22μF , 35 V
18μF , 50 V
0.1
18μF , 50 V
0.1
47μF , 35 V
22μF , 50 V
.01
100
1K
10K
100K
频率,单位为赫兹
1M
10M
.01
100
1K
10K
100K
频率,单位为赫兹
1M
10M
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日前,Vishay斯普拉格
性能特点
1.
工作温度:
电容的设计
工作在温度范围 - 55 ℃至
+ 85°C ,无降额。
电容器可以被操作到+ 125 ℃,电压
降额至三分之二的+ 85°C的评价。
+ 85
°
ç评级
工作
浪涌
电压
电压
(V)
(V)
6
10
15
20
35
50
8
13
20
26
46
65
+ 125
°
ç评级
工作
浪涌
电压
电压
(V)
(V)
4
7
10
13
23
33
5
9
12
16
28
40
7.
1.1
泄漏电流:
电容器应在稳定
额定温度30分钟。额定电压
应施加到电容器用5分钟。
功率的稳定信号源(如经调节的功率
供应)与1000欧姆的电阻器串联连接
被测电容器来限制充电电流。
漏电流应再进行测量。
需要注意的是,漏电流随施加电压。请参阅图表
下面为合适的调整因子。
典型漏电流系数范围
At
+ 25
°
C
1.0
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
2.
直流工作电压:
的直流工作电压是
最大工作电压在连续工作
额定温度。
漏电流系数
3.
浪涌电压:
浪涌DC评级是最大
电压施加到该电容器可经受
任何条件,包括瞬变和峰下
波纹在最高线电压。
浪涌电压测试:
电容器应承受
浪涌电压加到串联一个33欧姆
±
5%
电阻器的二分之一分上,一半的速率
分断,在+ 85 ℃下,为1000的连续测试周期。
以下的浪涌电压测试中,耗散因数
和漏电流应满足初始
要求;电容不得改变
多于
±
10%.
电容容差:
所有的电容
电容器应在规定的公差范围
的额定值。
电容测量应由方式进行
极化电容电桥。偏光
电压应如此大规模的,有应
没有由于AC分量极性反转。该
期间施加到电容器的最大电压
测量应为2伏均方根值在1000Hz的在+ 25°C 。
如果所施加的交流电压小于二分之一伏(有效值),
没有DC偏置是必要的。的测量精度
桥应在
±
2%.
电容随温度的变化:
电容随温度不得
超过电容的以下百分比
+ 25 %测
- 55°C
- 10%
+ 85°C
+ 8%
+ 125°C
+ 12%
0.2
0.1
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
3.1
3.2
0.01
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
4.
4.1
0.002
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70 80 90
100
额定电压的百分比
5.
7.1
7.2
7.3
8.
6.
6.1
耗散因数:
耗散因子,
从表达2πfRC确定,不得
超过该标准的评分表列出的值。
测量应在桥的方法制成
在,或简称,在1000Hz和一个频率
温度为+ 25 ℃。
8.1
在+ 25
°
C,
泄漏电流不应超过
在标准评分表列出的值。
在+ 85
°
C,
漏电流应不超过10
时代在标准额定值表中列出的值。
在+ 125
°
C,
漏电流应不超过15
时代在标准额定值表中列出的值。
寿命测试:
电容器应能承受额定直流电压
应用在+ 85℃ 2000小时额定直流电压
施加在+ 125 ℃下进行1000小时。
继寿命试验,介质损耗因数应满足
最初的要求;电容变化应
不超过
±
2 % ;泄漏电流不应超过
125%的原始要求。
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28
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文档编号: 40017
修订版11月11日 - 04
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