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BZX84-V-Series
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
•这些二极管也可在其他
表壳款式等配置
其中包括: SOD- 123案件类型
e3
指定BZT52系列,双齐纳
在SOT- 23二极管共阳极配置
例类型指定AZ23系列和
双齐纳二极管共阴极配置
在SOT -23例类型指定DZ23
系列。
•齐纳电压是根据分级
国际E 24标准。标准的齐纳电压
年龄误差为± 5 % 。更换"C"与"B"的
± 2 %的误差。
•硅平面功率齐纳二极管
•铅(Pb) -free组件
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
18078
机械数据
案例:
SOT- 23塑料外壳
重量:
约。 8.8毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3 ķ
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
功耗
1)
测试条件
符号
P
合计
价值
300
1)
单位
mW
设备上的玻璃基板,看布局。
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
420
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板,看布局。
文档编号85763
1.7修订版, 7月14日 - 05
www.vishay.com
1
BZX84-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳
电压
范围
V
Z
@ I
ZT1
V
BZX84C2V4-V
BZX84C2V7-V
BZX84C3V0-V
BZX84C3V3-V
BZX84C3V6-V
BZX84C3V9-V
BZX84C4V3-V
BZX84C4V7-V
BZX84C5V1-V
BZX84C5V6-V
BZX84C6V2-V
BZX84C6V8-V
BZX84C7V5-V
BZX84C8V2-V
BZX84C9V1-V
BZX84C10-V
BZX84C11-V
BZX84C12-V
BZX84C13-V
BZX84C15-V
BZX84C16-V
BZX84C18-V
BZX84C20-V
BZX84C22-V
BZX84C24-V
BZX84C27-V
BZX84C30-V
BZX84C33-V
BZX84C36-V
BZX84C39-V
BZX84C43-V
BZX84C47-V
BZX84C51-V
BZX84C56-V
BZX84C62-V
BZX84C68-V
BZX84C75-V
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
Y18
Y19
Y20
Y21
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
最大
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
70 (≤100)
75 (≤100)
80 (≤95)
85 (≤95)
85 (≤90)
85 (≤90)
80 (≤90)
50 (≤80)
40 (≤60)
15 (≤40)
6.0 (≤10)
6.0 (≤15)
6.0 (≤15)
6.0 (≤15)
6.0 (≤15)
8.0 (≤20)
10 (≤20)
10 (≤25)
10 (≤30)
10 (≤30)
10 (≤40)
10 (≤45)
15 (≤55)
20 (≤55)
25 (≤70)
25 (≤80)
30 (≤80)
35 (≤80)
35 (≤90)
40 (≤130)
45 (≤150)
50 (≤170)
60 (≤180)
70 (≤200)
80 (≤215)
90 (≤240)
95 (≤255)
275
300 (≤600)
325 (≤600)
350 (≤600)
375 (≤600)
400 (≤600)
410 (≤600)
425 (≤500)
400 (≤480)
80 (≤400)
40 (≤150)
30 (≤80)
30 (≤80)
40 (≤80)
40 (≤100)
50 (≤150)
50 (≤150)
50 (≤150)
50 (≤170)
50 (≤200)
50 (≤200)
50 (≤225)
60 (≤225)
60 (≤250)
60 (≤250)
65 (≤300)
70 (≤300)
75 (≤325)
80 (≤350)
80 (≤350)
85 (≤375)
85 (≤375)
85 (≤400)
100 (≤425)
100 (≤450)
150 (≤475)
170 (≤500)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
动态电阻
TEST
当前
温度。
系数
齐纳二极管
电压
α
VZ
@ I
ZT1
10
-4
/°C
-9.0
-9.0
-9.0
-8.0
-8.0
-7.0
-6.0
-5.0
-3.0
-2.0
-1.0
+2.0
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+5.0
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+8.0
+8.0
+8.0
+8.0
+8.0
+8.0
+8.0
+8.0
+10
+10
+10
+10
+9.0
+9.0
+10
+10
最大
-4.0
-4.0
-3.0
-3.0
-3.0
-3.0
-1.0
+2.0
+4.0
+6.0
+7.0
+7.0
+7.0
+7.0
+8.0
+8.0
+9.0
+9.0
+9.0
+9.0
+9.5
+9.5
+10
+10
+10
+10
+10
+10
+10
+12
+12
+12
+12
+11
+12
+12
+12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
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0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
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1
1
1
1
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8
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0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
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ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
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ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
TEST
当前
反向漏
当前
r
zj
@ I
ZT1
r
zj
@ I
ZT2
I
ZT1
mA
I
ZT2
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I
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BZX84-V-Series
威世半导体
电气特性
部分号码
记号
CODE
齐纳
电压
范围
V
Z
@ I
ZT1
V
BZX84B2V4-V
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Z51
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Z59
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Z64
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Z67
Z68
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Z73
Z74
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4.61
5
5.49
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6.66
7.35
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8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
70 (≤100)
75 (≤100)
80 (≤95)
85 (≤95)
85 (≤90)
85 (≤90)
80 (≤90)
50 (≤80)
40 (≤60)
15 (≤40)
6.0 (≤10)
6.0 (≤15)
6.0 (≤15)
6.0 (≤15)
6.0 (≤15)
8.0 (≤20)
10 (≤20)
10 (≤25)
10 (≤30)
10 (≤30)
10 (≤40)
10 (≤45)
15 (≤55)
20 (≤55)
25 (≤70)
25 (≤80)
30 (≤80)
35 (≤80)
35 (≤90)
40 (≤130)
45 (≤150)
50 (≤170)
60 (≤180)
70 (≤200)
80 (≤215)
90 (≤240)
95 (≤255)
275
300 (≤600)
325 (≤600)
350 (≤600)
375 (≤600)
400 (≤600)
410 (≤600)
425 (≤500)
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80 (≤400)
40 (≤150)
30 (≤80)
30 (≤80)
40 (≤80)
40 (≤100)
50 (≤150)
50 (≤150)
50 (≤150)
50 (≤170)
50 (≤200)
50 (≤200)
50 (≤225)
60 (≤225)
60 (≤250)
60 (≤250)
65 (≤300)
70 (≤300)
75 (≤325)
80 (≤350)
80 (≤350)
85 (≤375)
85 (≤375)
85 (≤400)
100 (≤425)
100 (≤450)
150 (≤475)
170 (≤500)
5
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5
5
2
2
2
2
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2
2
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2
2
2
动态电阻
TEST
当前
温度。
系数
齐纳二极管
电压
α
VZ
@ I
ZT1
10
-4
/°C
-9
-9
-9
-8
-8
-7
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2
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10
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10
最大
-4
-4
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-1
2
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6
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9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
11
12
12
12
1
1
1
1
1
1
1
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1
1
1
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1
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1
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1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
50
20
10
5
5
3
3
3
2
1
3
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0.7
0.5
0.2
0.1
0.1
0.1
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0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
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0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
1
1
1
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1
1
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2
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4
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5
6
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0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
0.7 V
ZNOM 。
TEST
当前
反向漏
当前
r
zj
@ I
ZT1
r
zj
@ I
ZT2
I
ZT1
mA
I
ZT2
mA
I
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@ V
R
V
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1.7修订版, 7月14日 - 05
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3
BZX84-V-Series
威世半导体
典型特性(环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编)
18114
18117
图1.正向特性
图4.动态电阻与齐纳电流
18115
18118
图2.容许功耗与环境温度
图5.电容与齐纳电压
°
C
18116
18119
图3.脉冲热电阻与脉冲宽度
图6.动态电阻与齐纳电流
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4
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1.7修订版, 7月14日 - 05
BZX84-V-Series
威世半导体
°C
18120
18135
, =
图7.动态电阻与齐纳电流
齐纳电压 - 齐纳图10.温度依赖性
电压
° C / W
18121
18124
图8.热微分电阻与齐纳电压
图11.更改齐纳电压与结温
°C
18122
18136
图9.动态电阻与齐纳电压
齐纳电压 - 齐纳图12.温度依赖性
电压
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BZX84C2V4-V-G

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BZX84C2V4-VGS18

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暂无信息
0 VISHAY

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BZX84C2V4V-T

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BZX84C2V4W

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