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HB16SKW01-5F-JB  MJ10012  MJ10002  HB16SKW01-5D-DB  HB16SKW01-6F-JB  HB16SKW01-5C-FB  HB16SKW01-5D-FB  MJ10012  HB16SKW01-5F-DB  HB16SKW01-5F-AB  
BZX85B3V6 硅外延平面的Z-二极管 (Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes)
.型号:   BZX85B3V6
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描述: 硅外延平面的Z-二极管
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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页数 : 5 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
BZX85B...
威世德律风根
硅外延平面的Z-二极管
特点
D
D
D
D
在反向特性锋利的边缘
低反向电流
低噪音
非常高的稳定性
应用
94 9369
电压稳定
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
功耗
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米,T
L
=25
°
C
TYPE
符号
P
V
T
j
T
英镑
价值
1.3
175
–65...+175
单位
W
°
C
°
C
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
L = 4毫米,T
L
=常数
符号
R
thJA
价值
110
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
测试条件
I
F
=200mA
TYPE
符号
V
F
典型值
最大
1
单位
V
文档编号85607
第3版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (5)
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