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HFA04TB60S
日前,Vishay高功率产品
HEXFRED
®
超快软恢复二极管,4A
特点
超快恢复
超软恢复
非常低的I
RRM
非常低Q
rr
在规定的工作条件
设计和工业级合格
BASE
常见
阴极
+
2
好处
减少RFI和EMI
二极管和三极管的开关降低功率损耗
更高的工作频率
减少冷落
减少了部件数量
1
阳极 -
3
- 阳极
D
2
PAK
描述
HFA04TB60S是本领域的超快恢复二极管的状态。
采用了最新的外延结构和先进的
处理技术其特点的完美结合
这导致性能是特征
任何以前可用整流无法超越的。基本
600 V和4的连续电流,收视率
HFA04TB60S特别适合井用作
同伴二极管的IGBT和MOSFET 。此外
超快恢复时间,在HEXFRED
®
产品线功能
峰值恢复电流非常低的值(我
RRM
)和
不表现出任何倾向期间为“管理单元断开”
t
b
回收的部分。该HEXFRED功能相结合,
为设计人员提供一个整流器,噪音低,显著
在两个二极管和开关更低的开关损耗
晶体管。这些HEXFRED优势可以帮助
显著降低冷落,元件数量和
散热器尺寸。该HEXFRED HFA04TB60S是理想
适用于电源供应器和电源应用
转换系统(例如逆变器) ,马达驱动器,并
许多其他类似的应用中,高速,高
需要效率。
产品概述
V
R
V
F
在4一25℃
I
F( AV )
t
rr
(典型值)
T
J
(最大)
Q
rr
在125℃下
dI
( REC )M
/ dt的在125℃下
600 V
1.8 V
4A
17纳秒
150 °C
40 NC
280 A / μs的
绝对最大额定值
参数
阴极到阳极电压
最大连续正向电流
单脉冲正向电流
最大重复正向电流
最大功率耗散
工作结存储温度范围
符号
V
R
I
F
I
FSM
I
FRM
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
T
C
= 100 °C
测试条件
600
4
25
16
25
10
- 55至+ 150
W
°C
A
单位
V
文档编号: 93033
修订: 22 - OCT- 08
如有技术问题,请联系: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
HFA04TB60S
日前,Vishay高功率产品
HEXFRED
®
超快软恢复二极管,4A
电气规格
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
阴极到阳极
击穿电压
符号
V
BR
I
R
= 100 µA
I
F
= 4.0 A
最大正向电压
V
FM
I
F
= 8.0 A
I
F
= 4.0 A,T
J
= 125 °C
最大反向
漏电流
结电容
串联电感
I
RM
C
T
L
S
V
R
= V
R
评级
T
J
= 125°C ,V
R
= 0.8× V
R
评级
V
R
= 200 V
SEE图。 2
参见图。 3
参见图。 1
测试条件
分钟。
600
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.5
1.8
1.4
0.17
44
4.0
8.0
马克斯。
-
1.8
2.2
1.7
3.0
300
8.0
-
µA
pF
nH
V
单位
测量导致引线5毫米封装体
动态恢复特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
反向恢复时间
参见图。 5,6
符号
t
rr
t
rr1
t
rr2
峰值恢复电流
反向恢复电荷
参见图。 7
秋天复苏的峰值速率
吨时电流
b
参见图。 8
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
dI
( REC )M
/dt1
dI
( REC )M
/dt2
测试条件
I
F
= 1.0 ,二
F
/ DT = 200 A / μs的,V
R
= 30 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
F
= 4.0 A
dI
F
/ DT = 200 A / μs的
V
R
= 200 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
17
28
38
2.9
3.7
40
70
280
235
马克斯。
-
42
57
5.2
6.7
60
105
-
A / μs的
-
A
ns
单位
nC
热 - 机械特性
参数
焊接温度
热阻,
结到外壳
热阻,
结到环境
重量
打标设备
案例D型
2
PAK
符号
T
领导
R
thJC
R
thJA
典型的插座安装
测试条件
0.063"从个案(1.6毫米), 10秒
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
2.0
0.07
马克斯。
300
5.0
K / W
80
-
-
g
盎司
单位
°C
HFA04TB60S
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2
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HFA04TB60S
HEXFRED
®
日前,Vishay高功率产品
超快软恢复二极管,4A
100
1000
I
R
- 反向电流( μA )
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
I
F
- 瞬时
正向电流( A)
10
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
0.1
0
1
2
3
4
5
6
0
100
200
300
400
500
V
FM
- 正向压降( V)
图。 1 - 最大正向压降与
正向电流
V
R
- 反向电压( V)
图。 2 - 典型的反向电流 -
反向电压
100
C
T
- 结电容(pF )
T
J
= 25 °C
10
1
1
10
100
1000
V
R
- 反向电压( V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
10
Z
thJC
- 热响应
1
P
DM
0.1
单脉冲
(热电阻)
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
- 矩形脉冲持续时间( S)
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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3
HFA04TB60S
日前,Vishay高功率产品
50
45
40
I
F
=
8
A
I
F
= 4 A
HEXFRED
®
超快软恢复二极管,4A
200
180
160
140
V
R
= 200
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
I
F
=
8
A
I
F
= 4 A
Q
rr
( NC )
V
R
= 200
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
t
rr
(纳秒)
120
100
80
60
40
20
0
100
35
30
25
20
100
1000
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 5 - 典型的反向恢复时间 - 的dI
F
/ DT
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 7 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
14
12
10
I
F
=
8
A
I
F
= 4 A
1000
I
F
=
8
A
I
F
= 4 A
I
rr
(A)
8
6
4
2
0
100
V
R
= 200
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
1000
dI
( REC )M
/ DT ( A / μS )
V
R
= 200
V
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
100
100
1000
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 6 - 典型的恢复电流与迪
F
/ DT
dI
F
/ DT ( A / μS )
图。 8 - 典型迪
( REC )M
/ DT与迪
F
/ DT
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超快软恢复二极管,4A
V
R
= 200
V
0.01
Ω
L = 70
µH
D.U.T.
dI
F
/ DT
调整
D
G
IRFP250
S
图。 9 - 反向恢复参数测试电路
(3)
I
F
0
t
rr
t
a
t
b
Q
rr
(2)
(4)
I
RRM
0.5 I
RRM
dI
( REC )M
/ DT
(5)
0.75 I
RRM
(1)
dI
F
/ DT
(1)的dI
F
/ DT - 额定电流的变化
通过过零
(2) I
RRM
- 峰值反向恢复电流
(3) t
rr
- 测量的反向恢复时间
从负零交叉点
我要去
F
来点
哪里
线传球
通过0.75我
RRM
0.50我
RRM
外推到零电流。
(4) Q
rr
- 区域
曲线定义
by
t
rr
RRM
Q
rr
=
t
rr
X我
RRM
2
(5)的dI
( REC )M
/ DT - 峰值的变化率
吨时电流
b
吨的部分
rr
图。 10 - 反向恢复波形和定义
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