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DM74LS353N  DM74LS353M  DM74LS353  
IRFZ48PBF 功率MOSFET (Power MOSFET)
.型号:   IRFZ48PBF
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描述: 功率MOSFET
Power MOSFET
文件大小 :   1520 K    
页数 : 9 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
IRFZ48 , SiHFZ48
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
29
36
单身
D
特点
60
0.018
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
超低导通电阻
极低的热阻
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220AB
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ48PbF
SiHFZ48-E3
IRFZ48
SiHFZ48
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
d
安装力矩
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
50
290
1.3
100
50
19
190
4.5
- 55〜 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 22 μH ,R
g
= 25
Ω
I
AS
= 72 A(见图12 ) 。
C.我
SD
72 A, di / dt的
200 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
ð 。从案例1.6毫米
Ë 。目前受限于包装, (死亡电流= 72 A) 。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91294
S11-0518 -REV 。 B, 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
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