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XC6203P572LL  XC6203P53ALH  XC6203P562LR  XC6203P56APH  XC6203P552PL  XC6203P55AFB  XC6203P53ATL  XC6203P572LB  XC6203P53AFR  XC6203P54ALR  
IRFZ48RLPBF 功率MOSFET (Power MOSFET)
.型号:   IRFZ48RLPBF
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描述: 功率MOSFET
Power MOSFET
文件大小 :   208 K    
页数 : 9 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
购买 :   
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100%
IRFZ48RS , IRFZ48RL , SiHFZ48RS , SiHFZ48RL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
()
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
29
36
单身
D
特点
60
0.018
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
•先进的工艺技术
•动态的dV / dt
• 175 ° C的工作温度
•快速开关
•全额定雪崩
•丢弃在更换IRFZ48 , SiHFZ48的
线性/音频应用
•符合RoHS指令2002/95 / EC
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK ( TO-263 )
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计,
功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置,用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻,在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的,因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
在一个典型的表面2 W的安装应用程序。
I
2
PAK ( TO- 262 )
-
IRFZ48RLPbF
SiHFZ48RL-E3
G
G
G
D
S
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
铅( Pb),且无卤
铅(Pb ) - 免费
D
2
PAK ( TO-263 )
SiHFZ48RS-GE3
IRFZ48RSPbF
SiHFZ48RS-E3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B,E
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C,E
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
d
安装力矩
当前
A,E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
50
290
1.3
100
190
4.5
- 55〜 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃,
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 22 μH ,R
g
= 25
,
I
AS
= 72 A(见图12 ) 。
C.我
SD
72 A, di / dt的
200 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。目前受限于包装, (死亡电流= 72 A) 。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91296
S11-1054 -REV 。 C, 30日, 11
www.vishay.com
1
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