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IRFZ48R , SiHFZ48R
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
29
36
单身
D
特点
60
0.018
先进的工艺技术
可用的
超低导通电阻
RoHS指令*
动态的dv / dt额定值
柔顺
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换SiHFZ48的线性/音频
应用
•符合RoHS指令2002/95 / EC
TO-220AB
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处,并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计,
功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置,用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ48RPbF
SiHFZ48R-E3
IRFZ48R
SiHFZ48R
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
50
290
1.3
100
50
19
190
4.5
- 55〜 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 22 μH ,R
g
= 25
Ω
I
AS
= 72 A(见图12 ) 。
C.我
SD
72 A,的dV / dt
200 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91295
S11-0518 -REV 。 B, 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改,恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
IRFZ48R , SiHFZ48R
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽,平面,脂表面
最大结至外壳(漏)
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
0.8
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,I
D
= 250 μA
参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
=
±
20
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 43 A
b
V
DS
= 25 V,I
D
= 43 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
27
-
0.060
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.018
-
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫,见图。五
-
-
-
-
2400
1300
190
-
-
-
8.1
250
210
250
4.5
7.5
-
-
-
110
29
36
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 72 A,V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V,I
D
= 72 A,
R
g
= 9.1
Ω,
R
D
= 0.34
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间,
从6毫米( 0.25" )
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
120
0.50
50
A
290
2.0
180
0.80
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C,I
S
= 72 A,V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C,I
F
= 72 A, di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
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2
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典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
2.5
I
D
= 72A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T
J
,结温(
°
C)
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
1000
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10us
I
D
,漏电流( A)
100
100us
1ms
10
10ms
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 175 °C
单脉冲
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
V
DS
80
V
GS
D.U.T.
+
-
V
DD
不限按包
R
G
I
D
,漏电流( A)
60
10 V
脉冲宽度
1 µs
占空比
0.1 %
40
图。 10A - 开关时间测试电路
20
V
DS
90 %
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10 %
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
1
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.01
0.1
1
10
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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