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SD103A/103B/103C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
•在SD103系列是金属对硅
肖特基势垒装置,该装置是
e2
由一个PN结保护环。
•低正向压降和快速
交换使其非常适用于保护MOS管
装置,转向装置,偏置和耦合二极管
快速开关和低逻辑电平的应用。
•其他应用是点击抑制,高效
在电话的子集全波桥和嵌段
ing二极管可充电电池低电压系
TEMS 。
•这些二极管也可在SOD123可用
和SOD323例类型名称
SD103AW (S )-V ... SD103CW (S) -V,和在
MiniMELF例类型名称LL103A
直通LL103C 。
•对于一般用途的应用
•铅(Pb) -free组件
•按照RoHS2002 / 95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
94 9367
机械数据
案例:
DO35玻璃案例
重量:
约。 125毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(52毫米磁带) , 50 K /箱TR / 10千
每Ammopack TAP / 10千(52毫米磁带) , 50 K /盒
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
零件表
部分
SD103A
SD103B
SD103C
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
订购代码
SD103A - TR或SD103A -TAP
SD103B - TR或SD103B -TAP
SD103C - TR或SD103C -TAP
键入标记
SD103A
SD103B
SD103C
备注
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
磁带和卷轴/ ammopack
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
峰值反向电压
测试条件
部分
SD103A
SD103B
SD103C
功率耗散(无限散热器)
单周期浪涌60Hz的正弦波
1)
符号
V
R
V
R
V
R
P
合计
I
FSM
价值
40
30
20
400
1)
15
单位
V
V
V
mW
A
有效的提供,导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
www.vishay.com
1
文档编号85754
修订版1.5 , 28 -FEB -07
SD103A/103B/103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
310
1)
125
1)
- 55至+ 150
1)
单位
K / W
°C
°C
有效的提供,导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 50 µA
部分
SD103A
SD103B
SD103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50〜200毫安,
恢复到0.1 I
R
SD103A
SD103B
SD103C
符号
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
40
30
20
5
5
5
370
600
典型值。
最大
单位
V
V
V
µA
µA
µA
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1000
100
10
1
5
I
F
- 正向电流(mA )
I
F
- 正向电流( A)
4
3
2
0.1
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700
800
900 1000
1
0
0.0
16766
0.5
1.0
1.5
2.0
16765
V
F
- 前进
电压
(毫伏)
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电流与正向电压
图2.正向电流与正向电压
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2
文档编号85754
修订版1.5 , 28 -FEB -07
SD103A/103B/103C
威世半导体
10 000
25
I
合计
- 典型。
Repetitve
正向浪涌电流( A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I
R
- 反向电流( μA )
20
1000
15
100
10
10
5
1
16767
0
0.1
16769
1.0
10.0
T
j
- 结温( ° C)
t
P
- 脉冲
宽度
(女士)
图3.反向电流与结温
图5.典型。非重复正向浪涌电流与
脉冲宽度
30
F = 1 MHz的
C
D
- 二极管电容(pF )
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
16768
V
R
- 反向
电压
(V)
图4.二极管电容与反向电压
包装尺寸
以毫米(英寸):
DO35
阴极鉴定
0.55最大。 ( 0.022 )
启示录6 - 日期: 2007年29月
文件编号: 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85754
修订版1.5 , 28 -FEB -07
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
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3
26分钟。 ( 1.024 )
3.9最大。 ( 0.154 )
26分钟。 ( 1.024 )
SD103A/103B/103C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
www.vishay.com
4
文档编号85754
修订版1.5 , 28 -FEB -07
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
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(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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