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SI3588DV N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET (N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI3588DV
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描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   61 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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Si3588DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
20
r
DS ( ON)
(W)
0.080 @ V
GS
= 4.5 V
0.100 @ V
GS
= 2.5 V
0.128 @ V
GS
= 1.8 V
0.145 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
3.0
2.6
2.3
–2.2
–1.8
–1.5
P沟道
–20
0.200 @ V
GS
= –2.5 V
0.300 @ V
GS
= –1.8 V
D
1
S
2
TSOP-6
顶视图
G1
1
6
D1
G
2
3 mm
S2
2
5
S1
G
1
G2
3
4
D2
2.85 mm
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
1.05
1.15
0.73
0.75
0.83
0.53
-55到150
P沟道
5秒
稳定状态
–20
"8
V
–2.2
–1.8
"8
–1.05
1.15
0.73
–0.75
0.083
0.53
W
_C
–0.57
–1.5
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
稳定状态
20
单位
3.0
2.3
2.5
2.0
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚(漏极)
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 71332
S- 02383 -REV 。 A, 23 - OCT- 00
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
93
130
90
最大
110
150
90
单位
° C / W
C / W
1
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