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STD420  STD40NF3LL  STD320GK12  8409-12  STD4530NLS  STD350  8409-08  8409-11  8409-06  8408901EA  
SI3588DV N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET (N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI3588DV
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描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   61 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si3588DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 85_C
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 85_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
I
D(上)
V
DS
p
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 3 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –2.2 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 2.6 A
r
DS ( ON)
V
GS
= -2.5 V,I
D
= –1.8 A
V
GS
= 1.8 V,I
D
= 2.3 A
V
GS
= -1.8 V,I
D
= –1.0 A
正向跨导
a
V
DS
= 5 V,I
D
= 3 A
g
fs
V
DS
= -5 V,I
D
= –2.2 A
I
S
= 1.05 ,V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.05 A,V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
–5
0.064
0.115
0.080
0.163
0.104
0.240
9
5
0.8
–0.8
1.1
–1.1
V
S
0.080
0.145
0.100
0.200
0.128
0.300
W
A
0.45
V
–0.45
"100
"100
1
–1
10
–10
mA
m
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,I
D
= 3 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= –10 V, V
GS
= -4.5 V,I
D
= –2.2 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D(上)
N沟道
V
DD
= 10 V ,R
L
= 10
W
I
D
^
1 ,V
= 4.5 V ,R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -4 V ,R
L
= 8
W
I
D
^
-1 A,V
= -4.5 V ,R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.05 ,的di / dt = 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.05 A, di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
5
5
0.65
nC
1.0
0.9
0.9
12
12
30
29
28
24
12
30
20
20
20
20
50
50
50
45
20
50
40
40
ns
7.5
7.5
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号: 71332
S- 02383 -REV 。 A, 23 - OCT- 00
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