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SI3588DV N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET (N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI3588DV
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描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   61 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si3588DV
Vishay Siliconix公司
新产品
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
0.30
典型特征( 25_C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.25
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
I
S
- 源电流( A)
0.20
I
D
= 3.0 A
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.15
0.10
0.05
0.1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.2
I
D
= 250
mA
6
V
GS ( TH)
方差( V)
–0.0
功率(W)的
8
单脉冲功率(结到环境)
0.1
–0.1
4
–0.2
2
–0.3
–0.4
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间(秒)
10
30
T
J
- 温度( _C )
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项:
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间(秒)
www.vishay.com
4
文档编号: 71332
S- 02383 -REV 。 A, 23 - OCT- 00
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