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SI3588DV N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET (N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI3588DV
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描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   61 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si3588DV
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
N沟道
归瞬态热阻抗,结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间(秒)
1
10
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
8
10
T
C
= –55_C
8
I D - 漏电流( A)
25_C
6
P沟道
传输特性
V
GS
= 4.5直通2.5 V
6
I D - 漏电流( A)
4
2V
125_C
4
2
1.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏电流
0.75
600
电容
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.60
Ç - 电容(pF )
500
C
国际空间站
400
0.45
V
GS
= 1.8 V
0.30
V
GS
= 2.5 V
0.15
V
GS
= 4.5 V
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0.00
0
2
4
I
D
- 漏极电流( A)
文档编号: 71332
S- 02383 -REV 。 A, 23 - OCT- 00
6
8
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
www.vishay.com
5
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