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SI3588DV N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET (N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI3588DV
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描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   61 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si3588DV
Vishay Siliconix公司
新产品
P沟道
1.8
典型特征( 25_C除非另有说明)
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.2 A
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
(归一化)
4
栅极电荷
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.2 A
V GS - 栅极 - 源极电压( V)
1.6
1.4
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温( ° C)
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.4
I
S
- 源电流( A)
T
J
= 150_C
1
0.3
I
D
= 2.2 A
0.2
T
J
= 25_C
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.4
8
单脉冲功率(结到环境)
0.3
6
V GS ( TH)方差(V )
0.2
I
D
= 250
mA
0.1
功率(W)的
4
0.0
2
–0.1
–0.2
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间(秒)
10
30
T
J
- 温度( _C )
www.vishay.com
6
文档编号: 71332
S- 02383 -REV 。 A, 23 - OCT- 00
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