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CTMD4P-6P4BAX1500  SA60  LM3S9B90-IQR25-C1  DF13B-13P-1.25H  LA25-NPSP7  MXR-8PE-8SB03  EGC45HRXF  BUS-61560-420Z  9016  BUS-61571-320Z  
SI3588DV N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET (N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI3588DV
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描述: N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   61 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si3588DV
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
Vishay Siliconix公司
P沟道
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项:
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间(秒)
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
归瞬态热阻抗,结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间(秒)
1
10
文档编号: 71332
S- 02383 -REV 。 A, 23 - OCT- 00
www.vishay.com
7
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