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AME8501BEFVBD40  AME8501BEFVAE18  AME8501BEFTDF20  AME8501BEFVBA21  AME8501BEFVBD46  AME8501BEFVBA27  AME8501BEFVAF22  AME8501BEFVAF26  AME8501BEFVBD28  AME8501BEFVAF21  
SI4340DY 双N通道20 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 (Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode)
.型号:   SI4340DY
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描述: 双N通道20 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
文件大小 :   103 K    
页数 : 9 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si4340DY
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体
门体漏
V
GS ( TH)
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V T,
J
= 85_C
V
V,
导通状态
在国家漏极电流
I
D( )
D(上)
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
V
GS
= 10 V,I
D
= 9.6 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
r
DS ( )
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
= 13.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7.8 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 12.8 A
正向跨导
二极管的正向电压
g
f
fs
V
SD
V
DS
= 15 V,I
D
= 9.6 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 13.5 A
I
S
= 1.8 A,V
GS
= 0 V
I
S
= 2.73 A,V
GS
= 0 V
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
20
30
0.0095
0.007
0.0135
0.0085
25
38
0.74
0.485
1.1
0.53
0.012
0.010
0.0175
0.0115
S
V
W
0.8
0.8
2.00
1.90
100
100
1
100
15
4000
A
mA
V
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
总栅极电荷
栅极 - 源
门源电荷
栅极 - 漏极
闸漏极电荷
栅极电阻
开启
打开延迟时间
上升时间
打开-O FF
关闭延迟时间
下降时间
源极 - 漏极
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
d
R
g
t
d( )
D(上)
t
r
t
D( FF)
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.8 A, di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 2.73 A, di / dt的= 100
毫安/ MS
Channel-1
通道1
V
DD
= 01 V ,R
L
= 10
W
I
D
^
1 ,V
= 10 V ,R
G
= 6
W
Channel-2
V
DD
= 01 V ,R
L
= 15
W
I
D
^
1 A V
= 10 V R
G
= 6
W
A,
V,
Ch-1
通道1
Channel-1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,I
D
= 9.6 A
通道2
Channel-2
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,I
D
= - 13.5 A
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
F = 1 MHz的
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
通道1
Ch-1
Ch-2
0.45
0.7
10
17
3.3
4.5
3.1
4.5
0.9
1.4
15
24
16
22
42
68
16
19
35
38
1.35
2.1
25
35
25
35
65
100
25
30
60
65
ns
W
15
25
nC
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
肖特基规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A,T
J
= 125_C
V
r
= 20 V
V
r
= 20 V ,T
J
= 75_C
V
r
= - 20 V ,T
J
= 125_C
V
r
= 15 V
典型值
0.485
0.42
0.008
0.4
6.5
102
最大
0.53
0.42
0.100
5
20
单位
V
最大反向漏电流
结电容
www.vishay.com
I
rm
C
T
mA
pF
2
文档编号: 72376
S- 31857 -REV 。 A, 15 - 09月03
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