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DBCRJS44D_11  DBCUSB2ASPTW  KCD34  FT230XQ-xxxx  DBCUSB2ASPB  DBCUSB2BSPW  IO251PDB6V2  JANTX1N6461US  IO243NPB6V1  KC856A  
SI4340DY 双N通道20 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 (Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode)
.型号:   SI4340DY
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描述: 双N通道20 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
文件大小 :   103 K    
页数 : 9 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si4340DY
Vishay Siliconix公司
输出特性
50
V
GS
= 10直通3 V
40
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
40
50
新产品
CHANNEL−2
传输特性
典型特征( 25_C除非另有说明)
30
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
- 55_C
10
2V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏电流
0.015
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
3000
2500
V
GS
= 4.5 V
0.009
V
GS
= 10 V
0.006
Ç - 电容(pF )
2000
1500
1000
500
0
0
10
20
30
40
50
0
4
C
RSS
电容
0.012
C
国际空间站
C
OSS
0.003
0.000
8
12
16
20
I
D
- 漏电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
栅极电荷
6
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
www.vishay.com
V
DS
= 10 V
I
D
= 13.5 A
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
- 50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 13.5 A
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W)
(归一化)
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温( ° C)
文档编号: 72376
S- 31857 -REV 。 A, 15 - 09月03
6
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