电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
SI4866DY N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET (N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET)
.型号:   SI4866DY
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
购买 :   
  浏览型号SI4866DY的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号SI4866DY的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号SI4866DY的Datasheet PDF文件第4页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
Si4866DY
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
,快速开关MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
12
r
DS ( ON)
(W)
0.0055 @ V
GS
= 4.5 V
0.008 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
17
14
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET,
PWM优化的高效率
低输出电压
100% R
G
经过测试
应用
D
同步整流器器
D
负载点的同步降压转换器
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
S
N沟道MOSFET
G
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
12
"8
17
稳定状态
单位
V
11
8
"50
A
1.40
1.6
1.0
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
14
2.7
3.0
2.0
热电阻额定值
参数
最大结到环境( MOSFET )
a
结到环境
最大结到脚(漏极)
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 71699
S- 03662 -REV 。 B, 14 -APR- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
34
67
15
最大
41
80
19
单位
° C / W
C / W
1
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7