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Si4888DY
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
,快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS ( ON)
(W)
0.007 @ V
GS
= 10 V
0.010 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
16
13
D D
D D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
N沟道MOSFET
G
S
S
S
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
16
稳定状态
单位
V
11
8
"50
A
1.40
16
1.0
- 55〜 150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
13
3.0
3.5
2.2
热电阻额定值
参数
最大结到环境( MOSFET )
a
结到环境
最大结到脚(漏极)
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 71336
S- 03662 -REV 。 D, 14 -APR- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
29
65
15
最大
35
80
18
单位
° C / W
1
Si4888DY
Vishay Siliconix公司
MOSFET规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 16 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 13 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 16 A
I
S
= 3 A,V
GS
= 0 V
40
0.0058
0.008
38
0.74
1.1
0.007
0.010
S
V
0.80
1.6
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 3 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ,R
L
= 15
W
I
D
^
1 ,V
= 10 V ,R
G
= 6
W
0.5
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5.0 V,I
D
= 16 A
16.3
4
5.9
1.5
14
10
44
20
40
2.6
20
15
70
30
70
ns
W
24
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
50
V
GS
= 10直通3 V
40
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
40
50
传输特性
30
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
0
0.0
- 55_C
2.0
2.5
3.0
3.5
10
1V
0
0
2
4
6
8
10
2V
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
www.vishay.com
2
文档编号: 71336
S- 03662 -REV 。 D, 14 -APR- 03
Si4888DY
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
导通电阻与漏电流
0.020
2500
电容
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
0.016
Ç - 电容(pF )
2000
C
国际空间站
0.012
V
GS
= 4.5 V
0.008
V
GS
= 10 V
0.004
1500
1000
C
OSS
500
C
RSS
0.000
0
10
20
30
40
50
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W)
(归一化)
14
21
28
35
8
1.6
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
7
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
10
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
0.04
I
S
- 源电流( A)
0.03
0.02
I
D
= 16 A
0.01
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
文档编号: 71336
S- 03662 -REV 。 D, 14 -APR- 03
www.vishay.com
3
Si4888DY
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
100
单脉冲功率
0.2
V
GS ( TH)
方差( V)
80
功率(W)的
- 0.0
60
- 0.2
40
- 0.4
20
- 0.6
- 0.8
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间(秒)
1
10
T
J
- 温度(℃ )
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 68 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间(秒)
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗,结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间(秒)
1
10
www.vishay.com
4
文档编号: 71336
S- 03662 -REV 。 D, 14 -APR- 03
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