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WMF4P68K-F  WMF2D56K-F  WMF2M8-90DAC5  WMF4P39K-F  WMF2P27K-F  WMF4P1K-F  WMF2D47K-F  WMF2D82K-F  1N1N3G  WMF2M8-120LI5  
SI5856DC N沟道1.8 -V (G -S ) MOSFET和肖特基二极管 (N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode)
.型号:   SI5856DC
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描述: N沟道1.8 -V (G -S ) MOSFET和肖特基二极管
N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
文件大小 :   87 K    
页数 : 6 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si5856DC
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道1.8 -V (G -S ) MOSFET和肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
5.9
5.6
5.2
r
DS ( ON)
(W)
0.040 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= 2.5 V
0.052 @ V
GS
= 1.8 V
D
D
D
D
TrenchFETr功率MOSFET,
超低低R
DS ( ON)
超低V
F
肖特基
Si5853DC引脚兼容
应用
D
降压整流开关,降压 - 升压
D
同步整流或负载
D
开关用于便携式设备
肖特基产品概要
V
KA
(V)
20
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.375 V @ 1.0
I
F
(A)
1.0
1206-8 ChipFETr
1
A
K
K
D
D
A
S
G
D
K
标识代码
JD
XXX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
G
底部视图
S
A
订货信息:
Si5856DC-T1
N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源极电压( MOSFET和肖特基)
反向电压(肖特基)
栅源电压( MOSFET )
连续漏电流(T
J
= 150_C ) (MOSFET)
a
漏电流脉冲( MOSFET )
连续源电流( MOSFET二极管的导通)
a
平均FOWARD电流(肖特基)
脉冲FOWARD电流(肖特基)
最大功率耗散( MOSFET )
a
最大功率耗散(肖特基)
a
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值
温度)
B,C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
20
20
"8
5.9
4.2
20
1.8
1.0
7
2.1
1.1
1.9
1.0
稳定状态
单位
V
4.4
3.1
0.9
A
1.1
0.6
1.1
0.56
−55
150
260
_C
W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜(未镀)作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证,并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
Ç 。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号: 72234
S- 32420 -REV 。 B, 24 - NOV- 03
www.vishay.com
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