Si5902BDC

Vishay Siliconix公司

双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

30

R

DS （ ON）

(Ω)

0.065在V

GS

= 10 V

0.100在V

GS

= 4.5 V

I

D

(A)

4

a

4

a

Q

g

（典型值）。

2 NC

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

®

功率MOSFET

•符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

1206-8 ChipFET

®

（双）

1

S

1

D

1

D

1

D

2

D

2

G

1

S

2

G

2

•负载开关，用于便携式应用

• DC / DC转换器

D

1

D

2

标识代码

CE

XXX

G

1

很多可追溯性

和日期代码

S

1

N沟道MOSFET

G

2

底部视图

产品编号

CODE

S

2

N沟道MOSFET

订货信息：

Si5902BDC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）

Si5902BDC -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）

绝对最大额定值

T

A

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

T

C

= 25 °C

T

C

= 85 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 85 °C

T

C

= 25 °C

T

A

= 25 °C

T

C

= 25 °C

T

C

= 85 °C

T

A

= 25 °C

T

A

= 85 °C

D，E

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

极限

30

± 20

4

a

3.8

a

3.7

B，C

2.6

B，C

10

2.6

1.3

B，C

3.12

2.0

1.5

B，C

0.8

B，C

- 55〜 150

260

单位

V

连续漏电流（T

J

= 150 °C)

A

漏电流脉冲

连续源极 - 漏极二极管电流

最大功率耗散

P

D

T

J

, T

英镑

W

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

°C

热电阻额定值

参数

符号

典型

最大

单位

B，F

R

thJA

t

≤

5s

70

85

最大结点到环境

° C / W

33

40

最大结到脚（漏极）

稳定状态

R

thJF

注意事项：

一。包装有限。

B 。表面安装1" X 1" FR4板。

Ç 。 T = 5秒。

ð 。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/ppg?73257 ） 。该1206-8 ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出铜

（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，不

需要保证足够的底侧的焊料互连。

Ë 。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。

F。在稳态条件下最大为120 ° C / W 。

文档编号： 70415

S10-0548 -REV 。 B， 08 -MAR- 10

www.vishay.com

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