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SI5902BDC 双N沟道30 V (D -S )的MOSFET (Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET)
.型号:   SI5902BDC
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描述: 双N沟道30 V (D -S )的MOSFET
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
文件大小 :   117 K    
页数 : 7 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si5902BDC
Vishay Siliconix公司
双N沟道30 V (D -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS ( ON)
(Ω)
0.065在V
GS
= 10 V
0.100在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
4
a
4
a
Q
g
(典型值)。
2 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
1206-8 ChipFET
®
(双)
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
•负载开关,用于便携式应用
• DC / DC转换器
D
1
D
2
标识代码
CE
XXX
G
1
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
G
2
底部视图
产品编号
CODE
S
2
N沟道MOSFET
订货信息:
Si5902BDC -T1 -E3 (铅(Pb ) - 免费)
Si5902BDC -T1- GE3 (铅( Pb),并且无卤素)
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
D,E
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
极限
30
± 20
4
a
3.8
a
3.7
B,C
2.6
B,C
10
2.6
1.3
B,C
3.12
2.0
1.5
B,C
0.8
B,C
- 55〜 150
260
单位
V
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
A
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
最大功率耗散
P
D
T
J
, T
英镑
W
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
°C
热电阻额定值
参数
符号
典型
最大
单位
B,F
R
thJA
t
5s
70
85
最大结点到环境
° C / W
33
40
最大结到脚(漏极)
稳定状态
R
thJF
注意事项:
一。包装有限。
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
Ç 。 T = 5秒。
ð 。见焊接温度曲线( www.vishay.com/ppg?73257 ) 。该1206-8 ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出铜
(未镀),为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证,不
需要保证足够的底侧的焊料互连。
Ë 。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
F。在稳态条件下最大为120 ° C / W 。
文档编号: 70415
S10-0548 -REV 。 B, 08 -MAR- 10
www.vishay.com
1
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