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![]() Si5902BDC Vishay Siliconix公司 双N沟道30 V (D -S )的MOSFET 产品概述 V DS (V) 30 R DS ( ON) (Ω) 0.065在V GS = 10 V 0.100在V GS = 4.5 V I D (A) 4 a 4 a Q g (典型值)。 2 NC 特点 • 无卤符合IEC 61249-2-21 德网络nition • TrenchFET ® 功率MOSFET •符合RoHS指令2002/95 / EC 应用 1206-8 ChipFET ® (双) 1 S 1 D 1 D 1 D 2 D 2 G 1 S 2 G 2 •负载开关,用于便携式应用 • DC / DC转换器 D 1 D 2 标识代码 CE XXX G 1 很多可追溯性 和日期代码 S 1 N沟道MOSFET G 2 底部视图 产品编号 CODE S 2 N沟道MOSFET 订货信息: Si5902BDC -T1 -E3 (铅(Pb ) - 免费) Si5902BDC -T1- GE3 (铅( Pb),并且无卤素) 绝对最大额定值 T A = 25 ℃,除非另有说明 参数 漏源电压 栅源电压 T C = 25 °C T C = 85 °C T A = 25 °C T A = 85 °C T C = 25 °C T A = 25 °C T C = 25 °C T C = 85 °C T A = 25 °C T A = 85 °C D,E 符号 V DS V GS I D I DM I S 极限 30 ± 20 4 a 3.8 a 3.7 B,C 2.6 B,C 10 2.6 1.3 B,C 3.12 2.0 1.5 B,C 0.8 B,C - 55〜 150 260 单位 V 连续漏电流(T J = 150 °C) A 漏电流脉冲 连续源极 - 漏极二极管电流 最大功率耗散 P D T J , T 英镑 W 工作结存储温度范围 焊接建议(峰值温度) °C 热电阻额定值 参数 符号 典型 最大 单位 B,F R thJA t ≤ 5s 70 85 最大结点到环境 ° C / W 33 40 最大结到脚(漏极) 稳定状态 R thJF 注意事项: 一。包装有限。 B 。表面安装1" X 1" FR4板。 Ç 。 T = 5秒。 ð 。见焊接温度曲线( www.vishay.com/ppg?73257 ) 。该1206-8 ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出铜 (未镀),为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证,不 需要保证足够的底侧的焊料互连。 Ë 。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。 F。在稳态条件下最大为120 ° C / W 。 文档编号: 70415 S10-0548 -REV 。 B, 08 -MAR- 10 www.vishay.com 1
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