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Si6463BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
(W)
0.015 @ V
GS
= -4.5 V
-20
0.020 @ V
GS
= -2.5 V
0.027 @ V
GS
= -1.8 V
I
D
(A)
-7.4
- 6.3
- 5.5
S*
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
P沟道MOSFET
D
8 D
7 S
6 S
5 D
G
*资料来源引脚2 , 3 , 6和7
必须绑常见。
Si6463BDQ
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲( 10
ms
脉冲宽度)
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
-20
"8
- 7.4
稳定状态
单位
V
-6.2
4.9
-30
A
-0.95
1.05
0.67
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
-5.9
-1.35
1.5
1.0
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 72018
S- 21782 -REV 。 A, 07- OCT- 02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
65
100
46
最大
83
120
56
单位
° C / W
C / W
1
Si6463BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 70_C
V
DS
-5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -7.4 A
漏源导通电阻
a
r
DS ( ON)
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -6.3 A
V
GS
= -1.8 V,I
D
= -5.5 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= -15 V,I
D
= -7.4 A
I
S
= -1.3 A,V
GS
= 0 V
20
0.011
0.015
0.020
34
-0.64
-1.1
0.015
0.020
0.027
W
W
S
V
-0.45
-0.8
"100
-1
-10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= -1.3 A, ​​di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ,R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A,V
= -4.5 V ,R
G
= 6
W
V
DS
= -10 V, V
GS
= -5 V,I
D
= -7.4 A
40
5.2
8
35
40
190
90
75
55
60
300
150
120
ns
60
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
24
30
传输特性
18
1.5 V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
-55
_C
1.0
1.5
2.0
6
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
www.vishay.com
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
文档编号: 72018
S- 21782 -REV 。 A, 07- OCT- 02
2
Si6463BDQ
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
导通电阻与漏电流
0.030
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
5000
Vishay Siliconix公司
电容
V
GS
= 1.8 V
0.018
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Ç - 电容(pF )
0.024
4000
C
国际空间站
3000
0.012
2000
C
OSS
0.006
1000
C
RSS
0.000
0
6
12
18
24
30
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
DS
= 10 V
I
D
= 7.4 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.4 A
1.4
3
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W)
(归一化)
16
24
32
40
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
8
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温( ° C)
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.06
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流( A)
T
J
= 150_C
10
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
W
)
0.05
0.04
I
D
= 7.4 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
文档编号: 72018
S- 21782 -REV 。 A, 07- OCT- 02
www.vishay.com
3
Si6463BDQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
阈值电压
0.4
200
单脉冲功率,结到环境
160
0.2
V
GS ( TH)
方差( V)
功率(W)的
I
D
= 250
mA
0.0
120
80
-0.2
40
-0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 3
10
- 2
10
- 1
时间(秒)
1
10
T
J
- 温度(℃ )
安全工作区,结至外壳
100
有限
由R
DS ( ON)
1毫秒
10
I
D
- 漏电流( A)
10毫秒
1
100毫秒
1s
0.1
T
C
= 25_C
单脉冲
10 s
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
方波脉冲持续时间(秒)
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号: 72018
S- 21782 -REV 。 A, 07- OCT- 02
Si6463BDQ
新产品
典型特征( 25_C除非另有说明)
归瞬态热阻抗,结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间(秒)
1
10
文档编号: 72018
S- 21782 -REV 。 A, 07- OCT- 02
www.vishay.com
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