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VBO105-14NO7  M95640-MB3T/P  VBO105-08NO7  M95040-MB3T/G  M95320-WMB3T/P  M95040-WMB3T/G  VBO160-08NO7  RD48F4400P0VBQ0  C0201C508B3UAC  M95640-RMB3T/P  
SI6463BDQ P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET (P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET)
.型号:   SI6463BDQ
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描述: P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
文件大小 :   47 K    
页数 : 5 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si6463BDQ
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
(W)
0.015 @ V
GS
= -4.5 V
-20
0.020 @ V
GS
= -2.5 V
0.027 @ V
GS
= -1.8 V
I
D
(A)
-7.4
- 6.3
- 5.5
S*
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
D
P沟道MOSFET
D
8 D
7 S
6 S
5 D
G
*资料来源引脚2 , 3 , 6和7
必须绑常见。
Si6463BDQ
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲( 10
ms
脉冲宽度)
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
-20
"8
- 7.4
稳定状态
单位
V
-6.2
4.9
-30
A
-0.95
1.05
0.67
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
-5.9
-1.35
1.5
1.0
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号: 72018
S- 21782 -REV 。 A, 07- OCT- 02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
65
100
46
最大
83
120
56
单位
° C / W
C / W
1
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