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CCL300DK2-TTD2  CCL300DG3-ACP1  CCL300DK1-ACP2  CCL300DK2-DCP  CCL300DK2-W  CCL300DK1-ADAL  SN74ACT86NSR  CCL300DG2-ACF1  CCL300DG3-W  SN74ACT86DRE4  
SI6925DQ 双N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET (Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET)
.型号:   SI6925DQ
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描述: 双N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
文件大小 :   53 K    
页数 : 4 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
Si6925DQ
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
"3.4
"3.1
"2.7
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6925DQ
7
6
5
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲( 10
ms
脉冲宽度)
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"12
"3.4
"2.7
"30
1.25
1
单位
V
A
W
0.64
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号: 70631
S- 49455 -REV 。 A, 17日-12月96
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
125
单位
° C / W
2-1
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