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Si6925DQ
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
(W)
0.05 @ V
GS
= 4.5 V
20
0.06 @ V
GS
= 3.0 V
0.08 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
"3.4
"3.1
"2.7
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6925DQ
7
6
5
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流(T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲( 10
ms
脉冲宽度)
连续源电流(二极管传导)
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
20
"12
"3.4
"2.7
"30
1.25
1
单位
V
A
W
0.64
-55到150
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
通过万维网SPICE模型信息: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号: 70631
S- 49455 -REV 。 A, 17日-12月96
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
极限
125
单位
° C / W
2-1
Si6925DQ
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 3.4 A
漏源导通电阻
b
ð I S
O 4 S
R I
r
DS ( ON)
V
GS
= 3.0 V,I
D
= 3.1 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 2.7 A
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
g
fs
V
SD
V
DS
= 10 V,I
D
= 3.4 A
I
S
= 1.25 A,V
GS
= 0 V
10
0.038
0.044
0.048
18
0.7
1.2
0.05
0.07
0.08
S
V
W
0.5
"100
1
5
V
nA
mA
A
符号
测试条件
典型值
a
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= 1.25 A, di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 6 V ,R
L
= 6
W
V,
I
D
^
1 ,V
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 6 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 3.4 A
V
4.5 V,
34
7.5
1.2
1.8
10
25
40
10
50
20
50
60
20
90
ns
15
nC
C
笔记
一。通过设计保证,不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
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S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号: 70631
S- 49455 -REV 。 A, 17日-12月96
Si6925DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
输出特性
30
V
GS
= 5通3 V
24
2.5 V
I D - 漏电流( A)
I D - 漏电流( A)
25_C
18
125_C
12
18
2V
12
24
T
C
= –55_C
30
传输特性
6
1.5 V
1V
6
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
导通电阻与漏电流
0.10
V
GS
= 2.5 V
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.08
900
V
GS
= 3 V
0.06
Ç - 电容(pF )
1200
电容
C
国际空间站
600
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.02
300
C
RSS
C
OSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
栅极电荷
4.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.4 A
1.8
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压( V)
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
(归一化)
3.6
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.4 A
1.4
2.7
1.2
1.8
1.0
0.9
0.8
0
0
2
4
6
8
0.6
–50
0
50
100
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
=结温( ° C)
文档编号: 70631
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Si6925DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征( 25_C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流( A)
T
J
= 150_C
10
R DS(ON ) - 导通电阻(
W
)
0.08
I
D
= 3.4 A
0.06
T
J
= 25_C
0.04
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.22
0.14
I
D
= 250
mA
V GS ( TH)方差(V )
0.06
20
–0.02
–0.10
–0.18
–0.26
–0.34
–50
5
功率(W)的
30
25
单脉冲功率
15
10
0
0
50
T
J
- 温度( _C )
100
150
0.01
0.1
1
时间(秒)
10
30
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
0.02
2.每单位基础= R
thJA
= 125°C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间(秒)
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