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T97
日前,Vishay斯普拉格
固体钽电容器芯片的牛逼
ANTAMOUNT
®
,
高可靠性COTS ,超低ESR ,敷形涂层表壳
特点
高可靠性;威布尔失效率
分级提供
每MIL -PRF- 55365浪涌电流测试
可供选择
超低ESR
锡/铅(锡铅)可终止
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
性能特点
工作温度:
- 55 ° C至+ 85°C
( 〜+ 125 ℃,电压降额)
电容范围:
15 μF至1500 μF
电容容差:
±
的10% , ± 20 %的标准
额定电压:
4 WVDC至63 WVDC
订购信息
T97
TYPE
R
CODE
227
K
电容电容
公差
020
直流电压
等级
AT + 85°C
这被表示在
伏。要完成
三位数的块,
零之前的
额定电压。一
小数点
通过一个“R ”表示的
( 6R3 = 6.3 V) 。
E
终止/
包装
(可选项
系列相关)
E =锡/铅焊料/ 7"
(178 MM)卷轴
L =锡/铅焊料/ 7"
(178 MM) , 1/2卷轴
C = 100 %锡/ 7"
(178 MM) ,卷轴
H = 100 %锡/ 7"
(178 MM) , 1/2卷轴
S
可靠性
水平
A
浪涌
当前
SEE
评级
代码
表。
这是
表达
皮法。该
前两个数字
显著
数字。该
第三个是
零可循。
K = ± 10 %
M = ± 20 %
A = 1.0 %
威布尔
B = 0.1 %
威布尔
(1)
S = 40小时
BURN -IN
Z =非
既定
可靠性
A = 10次
AT + 25°C
B = 10个周期
在 - 55 ° C / + 85°C
S = 3个周期
在25℃下
注意:
(1)
可在选择评级。请参阅第7页上的参数表。
尺寸
以英寸[毫米]
钽丝
笔尖标识
阳极(+)
终奌站
L
J
D
B
A
H
W
CASE CODE
E
F
R
V
Z
L( MAX 。 )
0.287 ± 0.012
[7.3 ± 0.3]
0.287 ± 0.012
[7.3 ± 0.3]
0.287 ± 0.012
[7.3 ± 0.3]
0.287 ± 0.012
[7.3 ± 0.3]
0.287 ± 0.012
[7.3 ± 0.3]
W
0.173 ± 0.016
[4.4 ± 0.4]
0.238 ± 0.016
[6.0 ± 0.4]
0.238 + 0.016/- 0.024
[6.0 + 0.4/- 0.6]
0.173 ± 0.016
[4.4 ± 0.4]
0.238 ± 0.016
[6.0 ± 0.4]
H
0.157 ± 0.016
[4.0 ± 0.4]
0.187 ± 0.016
[4.7 ± 0.4]
0.142 ± 0.016
[3.6 ± 0.4]
0.079
[ 2.0 ]马克斯。
0.238 ± 0.016
[6.0 ± 0.4]
A
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.3]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.3]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.3]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.3]
0.051 ± 0.012
[1.3 ± 0.3]
B
0.180 ± 0.025
[4.6 ± 0.6]
0.180 ± 0.025
[4.6 ± 0.6]
0.180 ± 0.025
[4.6 ± 0.6]
0.180 ± 0.025
[4.6 ± 0.6]
0.180 ± 0.025
[4.6 ± 0.6]
D( REF )。
0.253
[6.4]
0.243
[6.2]
0.243
[6.2]
0.253
[6.4]
0.243
[6.2]
J(下MAX 。 )
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
0.004
[0.1]
注意:
阳极终端(D小于B)将是最小的0.012" [ 0.3毫米]
*
含端子不符合RoHS标准无铅,可申请豁免
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1
如有技术问题,请联系: tantalum@vishay.com
文档编号: 40092
修订: 05 - 8 - 08
T97
固体钽芯片电容器
TANTAMOUNT®高可靠性COTS ,超低ESR ,
保形涂层表壳
额定值和CASE CODE
µF
10
15
22
33
47
68
100
150
220
330
470
680
1000
1500
2200
4V
6.3 V
10 V
16 V
20 V
25 V
35 V
50 V
E / R
R
F
Z*
63 V
75 V
日前,Vishay斯普拉格
F*
R
R
F
E
V
E
E / R
R
V
E
E
R
E
E
R
F*
R
F*
标准级别
电容
(µF)
470
680
1000
1000
1500
330
470
680
1000
330
470
680
220
470
220
330
68
150
47
15
15
22
33
47
22
CASE CODE
马克斯。 DCL
马克斯。 DF
马克斯。 ESR
AT + 25°C
AT + 25°C
AT + 25°C
(µA)
120赫兹(%)
100千赫( MΩ)
4 WVDC AT + 85°C , SURGE = 5.2 V 。 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 3.4 V
T97V477(1)004(2)(3)(5)
19
8
30
T97E687(1)004(2)(3)(5)
27
6
25
T97E108(1)004(2)(3)(5)
40
8
20
T97R108(1)004(2)(3)(5)
40
8
18
T97R158(1)004(2)(3)(5)
60
8
15
6.3 WVDC AT + 85°C , SURGE = 8 V 。 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 5 V
T97V337(1)6R3(2)(3)(5)
21
8
35
T97E477(1)6R3(2)(3)(5)
30
6
30
T97E687(1)6R3(2)(3)(5)
43
6
25
T97R108(1)6R3(2)(3)(5)
63
8
20
10 WVDC AT + 85°C , SURGE = 13 V 。 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 8 V
T97E337(1)010(2)(3)(5)
33
6
35
T97E477(1)010(2)(3)(5)
47
6
28
T97R687(1)010(2)(3)(5)
68
6
28
16 WVDC AT + 85°C , SURGE = 20 V 。 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 12 V
T97E227(1)016(2)(3)(5)
35
8
40
T97E477(1)016(2)(3)(5)*
75
14
100
20 WVDC AT + 85°C , SURGE = 26 V 。 。 。 13直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 16 V
T97R227(1)020(2)(3)(5)
44
8
80
T97F337(1)020(2)(3)(5)*
66
10
100
25 WVDC AT + 85°C , SURGE = 32 V 。 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 20 V
T97R686(1)025(2)(4)(5)
17
6
100
T97F157(1)025(2)(4)(5)
38
8
80
35 WVDC AT + 85°C , SURGE = 46 V 。 。 。 23直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 28 V
T97R476(1)035(2)(3)(5)
17
6
80
50 WVDC AT + 85°C , SURGE = 65 V 。 。 。 33直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 38 V
T97E156(1)050(2)(4)(5)
8
6
300
T97R156(1)050(2)(3)(5)
8
6
250
T97R226(1)050(2)(3)(5)
11
6
170
T97F336(1)050(2)(3)(5)
17
6
150
T97Z476(1)050(2)(3)(5)*
24
6
145
63 WVDC AT + 85°C , SURGE = 81 V 。 。 。 42直流工作电压在+ 125 ° C, SURGE = 54 V
T97F226(1)063(2)(3)(5)*
14
6
200
零件号*
( 3 )可靠性等级: A,S ,Z
( 4 )可靠性等级: A,B ,S ,Z
( 5 )浪涌电流: A,B ,S
马克斯。纹波
100千赫
IRMS ( A)
2.2
2.9
3.3
3.7
4.1
2.0
2.7
2.9
3.5
2.5
2.8
2.9
2.3
1.4
1.8
1.4
1.6
1.8
1.8
0.8
1.0
0.8
0.8
1.1
0.9
V
E
E
R
R
V
E
E
R
E
E
R
E
F
R
F
R
F
R
E
R
R
F
Z
F
注意事项:
*联系工厂的可用性
( 1 )电容公差: K,M
( 2 )终止与包装: C,E , H,L
文档编号: 40092
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T97
日前,Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
无异
®
高可靠性COTS ,超低ESR ,
保形涂层表壳
典型曲线
T97 1500 μF - 4 V' R'外壳尺寸ESR和Z与频率的关系
1
ESR
ESR和Z ( Ω )
ESR和Z ( Ω )
Z
T97 330 μF - 10 V' E'外壳尺寸ESR和Z与频率的关系
1
ESR
Z
0.1
0.1
0.01
100赫兹
1千赫
10千赫
频率
100千赫
1兆赫
0.01
100赫兹
1千赫
10千赫
频率
100千赫
1兆赫
T97 1000 μF - 4 V' E'外壳尺寸ESR和Z与频率的关系
1
ESR
ESR和Z ( Ω )
T97 1000 μF - 6.3 V' R'外壳尺寸ESR和Z与频率的关系
1
ESR
ESR和Z ( Ω )
Z
Z
0.1
0.1
0.01
100赫兹
1千赫
10千赫
频率
100千赫
1兆赫
0.01
100赫兹
1千赫
10千赫
频率
100千赫
1兆赫
T97 330 μF - 6.3 V
'V'
外壳尺寸ESR和Z与频率的关系
10
ESR
T97 470 μF - 4 V
'V'
外壳尺寸ESR和Z与频率的关系
10
ESR
ESR和Z ( Ω )
ESR和Z ( Ω )
1
Z
1
Z
0.1
0.1
0.01
100赫兹
1千赫
10千赫
频率
100千赫
1兆赫
0.01
100赫兹
1千赫
10千赫
频率
100千赫
1兆赫
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