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TCMT11 ..系列
日前,Vishay
半导体
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCMT11 ..系列包括一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓infrared-
在4-发光二极管导致多达16引脚塑料
Miniflat包。
的元件被安装在一个引线框架用
共面技术,
提供一个固定的距离
输入和输出,用于最高安全性之间
要求。
16467
应用
可编程逻辑控制器,调制解调器应答
机,一般的应用
科尔。发射器
9
特点
D
薄型封装(半间距)
D
AC绝缘测试电压V
io
= 3.75千伏
RMS
D
典型的0.3 pF的低耦合电容
D
电流传输比
( CTR ),选入组
D
CTR的低温度系数
D
环境温度范围宽
D
美国保险商实验室
( UL ) 1577认可,
文件编号E- 76222
1
2
8
阳极蛋白酶。
4针
16针
D
CSA
( C- UL)认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
耦合器系统M
C
订购说明
订购代码
TCMT1100
TCMT1101
TCMT1102
TCMT1103
TCMT1104
TCMT1105
TCMT1106
TCMT1107
TCMT1108
TCMT1109
TCMT4100
点击率排行
50至600%
40〜80%
63至125%
100〜200%
160〜 320 %
50 %至150%
为100〜300 %
80至160%
130至260%
200至400%
50至600%
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
16引脚=四通道
文档编号83510
牧师A2 , 15日-12月00
www.vishay.com
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16281
TCMT11 ..系列
日前,Vishay
半导体
绝对最大额定值
INPUT (发射器)
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
10
m
s
T
AMB
25
°
C
输出(检测器)
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
峰值集电极电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
25
°
C
耦合器
参数
测试条件
交流隔离测试电压(有效值)
总功耗
T
AMB
25
°
C
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
相关标准气候23/50 DIN 50014
符号
V
IO 1 )
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
3.75
250
-40至+100
-40至+100
235
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
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文档编号83510
牧师A2 , 15日-12月00
TCMT11 ..系列
日前,Vishay
半导体
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
INPUT (发射器)
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
分钟。
典型值。
1.25
50
马克斯。
1.6
单位
V
pF
输出(检测器)
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
m
A
I
E
= 100
m
A
V
CE
= 20 V,I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
分钟。
70
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
100
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时,我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
分钟。
典型值。
马克斯。
0.3
单位
V
千赫
pF
W
100
0.3
电流传输比( CTR )
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
F
= 5毫安
TYPE
TCMT1100
TCMT1101
TCMT1102
TCMT1103
TCMT1104
TCMT1105
TCMT1106
TCMT1107
TCMT1108
TCMT1109
TCMT4100
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
0.5
0.4
0.63
1.0
1.6
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.5
典型值。
马克斯。
6.0
0.8
1.25
2.0
3.2
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
6.0
单位
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TCMT11 ..系列
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半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V,I
C
= 2毫安,R
L
= 100 (
(参见图1)
g
)
W
V
S
= 5 V,I
F
= 10毫安,R
L
= 1 k
W
(图2)
(见克
)
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
典型值。
3.0
3.0
4.7
0.3
6.0
5.0
9.0
18.0
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
m
m
m
m
m
m
m
m
0
I
F
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
I
F
96 11698
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
W
0
t
p
I
C
通道I
示波器
50
道II
R
L
= 1 M
t
m
W
100
W
W
100%
90%
C
L
= 20 pF的
95 10804
图1.测试电路,非饱和运算
10%
0
t
r
t
d
t
s
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
t
f
t
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
W
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
m
图3.开关时间
通道I
示波器
R
L
> 1M的
道II
50
95 10843
W
1k
W
W
C
L
< 20 pF的
图2.测试电路,饱和运算
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半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定)
300
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流,
与开基( NA)
V
CE
=20V
I
F
=0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
图4.总功耗对比
环境温度
1000.0
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流(mA )
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流(mA )
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0.1
0
96 11862
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压( V)
95 11027
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流(mA )
图5.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图8.集电极电流与正向电流
100
I
C
- 集电极电流(mA )
V
CE
=5V
I
F
=5mA
1.5
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
1.0
1
2mA
1mA
0.5
0
–25
95 11025
0.1
0
25
50
75
95 10985
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压(V )
图6.相对电流传输比主场迎战
环境温度
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图9.集电极电流与集电极发射极电压
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