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TLLG440 。 , TLLR440 。 , TLLY440 。
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威世半导体
邻3毫米有色散射封装低电流LED
特点
•低功耗
•高亮度
• CMOS / MOS兼容
•指定在我
F
= 2毫安
•发光强度分类
19220
•黄色和绿色的颜色分类
•材料分类: 
对于合规的定义,请参见
www.vishay.com/doc?99912
产品组和包数据
•产品组: LED
•封装为3mm
•产品系列:低电流
•半强度角: ± 25 °
应用
•低功耗DC电路
零件表
部分
TLLR4400
TLLR4400-AS12Z
TLLR4400-BT12Z
TLLR4400-MS12Z
TLLR4401
TLLR4401-AS12
TLLR4401-AS12Z
TLLR4401-BT12
TLLR4401-BT21Z
TLLR4401-MS21Z
TLLR4401-MS21
TLLY4400
TLLY4400-AS12
TLLY4400-BT12Z
TLLY4400-MS12
TLLY4401
TLLY4401-AS12
TLLY4401-AS12Z
TLLY4401-MS12
TLLG4400
TLLG4400-AS12
TLLG4401
TLLG4401-AS12
TLLG4401-AS12Z
TLLG4401-BT12
TLLG4401-BT21Z
发光强度
波长
正向电压
在我
F
在我
F
在我
F
( MCD )
(纳米)
(V)
颜色
技术
(MA )
(MA )
(MA )
分钟。
典型值。马克斯。
分钟。典型值。马克斯。
分钟。典型值。马克斯。
绿色
绿色
绿色
绿色
绿色
绿色
绿色
0.63
0.63
0.63
0.63
1
1
1
1
1
1
1
0.63
0.63
0.63
0.63
1
1
1
1
0.63
0.63
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.2
1.2
2
2
2
2
2
2
2
1.2
1.2
1.2
1.2
2
2
2
2
1.2
1.2
2
2
2
2
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
612
612
612
612
612
612
612
612
612
612
612
581
581
581
581
581
581
581
581
562
562
562
562
562
562
562
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
625
625
625
625
625
625
625
625
625
625
625
594
594
594
594
594
594
594
594
575
575
575
575
575
575
575
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.9
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
豁口的GaP
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本文如有更改,恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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威世半导体
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定) 
TLLG440 。 , TLLR440 。 , TLLY440 。
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
5秒, 2毫米从主体
t
p
10 μs
T
AMB
84 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
6
7
0.15
20
100
- 40至+ 100
- 55至+ 100
260
800
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
TLLR440 。红
参数
发光强度
(1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
测试条件
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
R
= 10 μA
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
部分
TLLR4400
TLLR4401
符号
I
V
I
V
d
p
V
F
V
R
C
j
分钟。
0.63
1
612
-
-
-
6
-
典型值。
1.2
2
-
635
± 25
1.9
20
50
马克斯。
-
-
625
-
-
2.4
-
-
单位
MCD
MCD
nm
nm
V
V
pF
(1)
在一个包装单位I
VMIN 。
/I
VMAX 。
0.5
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
TLLY440 。 ,黄
参数
发光强度
(1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
(1)
测试条件
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
R
= 10 μA
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
部分
TLLY4400
TLLY4401
符号
I
V
I
V
d
p
V
F
V
R
C
j
分钟。
0.63
1
581
-
-
-
6
-
典型值。
1.2
2
-
585
± 25
2.4
20
50
马克斯。
-
-
594
-
-
2.9
-
-
单位
MCD
MCD
nm
nm
V
V
pF
在一个包装单位I
VMIN 。
/I
VMAX 。
0.5
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威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
TLLG440 。 ,绿
参数
发光强度
(1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
(1)
在一个包装单位I
VMIN 。
/I
VMAX 。
0.5
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
部分
TLLG4400
TLLG4401
符号
I
V
I
V
d
p
V
F
V
R
C
j
分钟。
0.63
1
562
-
-
-
6
-
典型值。
1.2
2
-
565
± 25
1.9
20
50
马克斯。
-
-
575
-
-
2.4
-
-
单位
MCD
MCD
nm
nm
V
V
pF
发光强度分类
标准
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
光强度( MCD )
分钟。
0.63
1
1.6
2.5
4
6.3
10
16
25
40
马克斯。
1.25
2
3.2
5
8
12.5
20
32
50
80
颜色分类
大教堂。波长(nm )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-
581
583
585
587
589
591
-
-
分钟。
马克斯。
-
584
586
588
590
592
594
-
-
分钟。
-
-
-
562
564
566
568
570
572
绿色
马克斯。
-
-
-
565
567
569
571
573
575
•发光强度是在25 ms.的电流脉冲的持续时间测试
上述类型的数字表示的顺序基团
只包括几个亮度组。只有一组会
发货每袋(会有两组中没有混合
每袋) .
为了确保可用性,单颗亮度群体不会
被orderable.
以类似的方式对颜色,其中波长​​团是
测量并分级,单波长组将被运
在任何一个bag.
为了确保可用性,单波长组不会
可订购。
•波长都在25毫秒的电流脉冲的持续时间测试。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
10
2.0
威世半导体
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
I
F
- 正向电流(mA )
8
6
1.2
4
2
0
0
20
40
60
80
100
0.8
0.4
I
F
= 2毫安
0
0
20
40
60
80
100
95 10049
T
AMB
- 环境温度( ° C)
95 10051
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 1 - 正向电流与环境温度
图。 4 - 相对发光强度与环境温度
0
I
V REL
- 相对发光强度
10°
20°
30°
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
10
96 11490
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02
t
p
/T
95 10060
1
图。 2 - 相对发光强度与角位移
图。 5 - 相对发光强度与正向电流/占空比
10
I
V REL
- 相对发光强度
100
100
10
I
F
- 正向电流(mA )
1
1
0.1
0.1
0
95 10050
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10 µs
1
2
3
4
5
0.01
0.1
95 10061
1
10
100
V
F
- 正向电压( V)
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对发光强度与正向电流
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威世半导体
1.2
2.4
I
V REL
- 相对发光强度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
I
V REL
- 相对发光强度
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
610
630
650
670
690
96 11590
95 10040
λ
- 波长(nm )
10
1
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
(MA )
0.02 t
p
/T
图。 7 - 相对强度与波长
图。 10 - 相对发光强度与
正向电流/占空比
100
I
V REL
- 相对发光强度
100
10
I
F
- 正向电流(mA )
10
1
1
0.1
0.1
0
95 10053
t
P
/T = 0.001
t
P
= 10 µs
1
2
3
4
5
0.01
0.1
95 10062
1
10
100
V
F
- 正向电压( V)
I
F
- 正向电流(mA )
图。 8 - 正向电流与正向电压
图。 11 - 相对发光强度与正向电流
2.0
I
V REL
- 相对发光强度
1.2
1.0
I
REL
- 相对强度
0
20
40
60
80
100
1.6
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
570
590
610
630
650
1.2
0.8
0.4
0
95 10054
T
AMB
- 环境温度( ° C)
95 10039
λ
- 波长(nm )
图。 9 - 相对发光强度与环境温度
图。 12 - 相对强度与波长
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