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描述:
BS14  
TP0202K_06 P通道30 -V (D -S )的MOSFET (P-Channel 30-V (D-S) MOSFET)
.型号:   TP0202K_06
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描述: P通道30 -V (D -S )的MOSFET
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
文件大小 :   202 K    
页数 : 4 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型(子电路模型)
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
−55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷,瞬态,二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
−55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据,并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则,不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号: 73186
S- 52635Rev 。 B, 02 -JAN- 06
www.vishay.com
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