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SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V (D -S )的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型(子电路模型)
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
−55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷,瞬态,二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
−55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据,并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则,不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号: 73186
S- 52635Rev 。 B, 02 -JAN- 06
www.vishay.com
1
SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
规格(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
符号
测试条件
模拟
数据
2.1
4
2
1.3
283
−0.76
数据
2
单位
V
GS ( TH)
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
−250 µA
V
DS
=
−10
V, V
GS
=
−10
V
V
GS
=
−10
V,I
D
=
−0.5
A
V
GS
=
−4.5
V,I
D
=
−0.05
A
V
DS
=
−5
V,I
D
=
−0.2
A
I
S
=
−0.25
A,V
GS
= 0 V
V
A
2.1
1.25
315
mS
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
−16
V, V
GS
=
−10
V,I
D
=
−0.2
A
704
225
175
1000
225
175
pC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300
µs,
占空比
2%.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
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文档编号: 73186
S- 52635Rev 。 B, 02 -JAN- 06
SPICE器件模型TP0202K
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
文档编号: 73186
S- 52635Rev 。 B, 02 -JAN- 06
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文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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