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US1A THRU US1M
威世通用半导体
表面贴装超快整流器
特点
•薄型封装
•适合自动放置
•玻璃钝化结
•超快反向恢复时间
•低开关损耗，效率高
•高正向浪涌能力
•符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
•浸焊260 ° C， 40秒
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
DO- 214AC （ SMA）的
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
50 V到1000 V.
30 A
50纳秒， 75纳秒
1.0 V, 1.7 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 110 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作和存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
US1A
UA
50
35
50
US1B
UB
100
70
100
US1D
UD
200
140
200
US1G
UG
400
280
400
1.0
30
- 55至+ 150
US1J
UJ
600
420
600
US1K
UK
800
560
800
US1M
UM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
单位
文档编号： 88768
修订： 27 - 8 - 07
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
US1A THRU US1M
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
典型结电容
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
50
15
US1A
US1B
US1D
US1G
US1J
US1K
1.7
10
50
75
10
US1M
单位
V
µA
ns
pF
1.0
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大热阻
(1)
注意：
（1） P.C.B.安装在0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜焊盘面积
符号
R
θJA
R
θJL
US1A
US1B
US1D
US1G
75
27
US1J
US1K
US1M
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
US1J-E3/61T
US1J-E3/5AT
US1JHE3/61T
(1)
US1JHE3/5AT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.064
0.064
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
61T
5AT
基地数量
1800
7500
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
30
正向平均整流电流（ A）
1.0
峰值正向浪涌电流（ A）
负载电阻或电感
25
T
L
= 110 °C
8.3
毫秒单一正弦半波
0.8
20
0.6
15
0.4
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
10
0.2
5
0
0
25
50
75
100
125
150
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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2
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US1A THRU US1M
威世通用半导体
100
1000
正向电流（A ）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 100 °C
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.3
US1A - US1G
1
US1J - US1M
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
0
20
40
60
80
100
正向
电压
(V)
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.典型正向特性
图6.典型的反向漏电特性
100
100
T
J
= 150 °C
US1A - US1G
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
结电容（pF ）
10
US1J - US1M
0.1
US1A - US1G
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
反向
电压
(V)
图4.典型的反向漏电特性
图7.典型结电容
100
100
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
3.2
正向电流（A ）
10
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
US1J - US1M
0.01
0.2
1
0.7
1.2
1.7
2.2
2.7
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图5.典型的正向特性
图8.典型的瞬态热阻抗
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US1A THRU US1M
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208
（ 5.28 ） REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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修订： 18 -JUL- 08
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