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1N4460US  1N4475  1N4485US  1N5518  1N4100DURTR  1N4461  1N4478  1N5518A-1  1N4493  1N4482  
VB40M120C  (VB40M120C)
.型号:   VB40M120C
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描述:
VB40M120C
文件大小 :   625 K    
页数 : 4 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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新产品
VB40M120C
www.vishay.com
威世通用半导体
超低V
F
= 0.46 V ,在我
F
= 5 A
特点
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
TMBS
®
TO-263AB
•沟道MOS肖特基技术
•低正向压降,低功率损耗
•高效率运行
•符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF
245℃最大峰值
2
K
•符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
1
VB40M120C
销1
销2
K
散热器
典型应用
用于太阳能电池的接线盒,作为一个旁路二极管
保护,采用直流正向电流不反向偏压。
机械数据
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
120 V
250 A
0.64 V
150 °C
案例:
TO-263AB
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准,商用级
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
每个器件
最大正向平均整流电流(图1)
每二极管
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
变化的电压率(额定V
R
)
工作结存储温度范围
I
F( AV )
I
FSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
符号
V
RRM
VB40M120C
120
40
20
250
10 000
- 40〜 + 150
V / μs的
°C
A
单位
V
修订: 11 -JAN- 12
文档编号: 89468
1
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