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OAH10100AT  OAH10  OAE1027ABC  OAH1010048A  OAE5048AAA  OAE100EC  OAE1048AAAC  OAH100A  OAE100BC  OAE1048AAC  
VIT1045C 双路低压Trench MOS势垒肖特基整流器 (Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier)
.型号:   VIT1045C
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描述: 双路低压Trench MOS势垒肖特基整流器
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
文件大小 :   131 K    
页数 : 5 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
新产品
VT1045C , VIT1045C
威世通用半导体
双路低压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.34 V ,在我
F
= 2.5 A
特点
TMBS
®
TO-220AB
TO-262AA
•沟道MOS肖特基技术
•低正向压降,低功率损耗
•高效率运行
•浸焊275 °C以下。 10秒,每JESD 22 - B106
• AEC- Q101标准
•符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
K
2
VT1045C
销1
3脚
3
1
VIT1045C
销1
3脚
2
3
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
1
销2
销2
K
典型应用
为在高频DC / DC变换器使用,开关
电源,续流二极管, OR- ing二极管,和
电池反接保护。
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 5.0 A
T
J
马克斯。
2× 5.0
45 V
100 A
0.41 V
150 °C
机械数据
案例:
TO- 220AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素,符合RoHS标准,并
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素,符合RoHS标准,并
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试, HM3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
每个器件
最大正向平均整流电流(图1)
每二极管
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
工作结存储温度范围
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
V
RRM
VT1045C
45
10
A
5.0
100
- 40〜 + 150
A
°C
VIT1045C
单位
V
文档编号: 89348
修订: 23 -MAR- 11
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1
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