MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
新产品
VT1045C , VIT1045C
威世通用半导体
双路低压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.34 V ,在我
F
= 2.5 A
特点
TMBS
®
TO-220AB
TO-262AA
•沟道MOS肖特基技术
•低正向压降,低功率损耗
•高效率运行
•浸焊275 °C以下。 10秒,每JESD 22 - B106
•符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
K
2
VT1045C
销1
3脚
3
1
VIT1045C
销1
3脚
2
3
1
销2
典型应用
为在高频DC / DC变换器使用,开关
电源,续流二极管, OR- ing二极管,和
电池反接保护。
销2
K
机械数据
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 5.0 A
T
J
马克斯。
2× 5.0
45 V
100 A
0.41 V
150 °C
案例:
TO- 220AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素,符合RoHS标准,并
商业级
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
每个器件
最大正向平均整流电流(图1)
每二极管
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
工作结存储温度范围
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
V
RRM
VT1045C
45
10
A
5.0
100
- 40〜 + 150
A
°C
VIT1045C
单位
V
文档编号: 89348
修订: 11月30日 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
VT1045C , VIT1045C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
I
F
= 2.5 A
每个二极管的正向电压
I
F
= 5.0 A
I
F
= 2.5 A
I
F
= 5.0 A
反向电流每二极管
V
R
= 45 V
T
A
= 25 °C
V
F (1)
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
典型值。
0.44
0.49
0.34
0.41
I
R (2)
-
5
马克斯。
-
0.58
V
-
0.50
500
15
μA
mA
单位
笔记
(1)
脉冲试验: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
(2)
脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
每二极管
典型热阻
每个器件
R
θJC
符号
VT1045C
3.5
° C / W
2.5
VIT1045C
单位
订购信息
(例)
TO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
VT1045C-M3/4W
VIT1045C-M3/4W
单位重量(g )
1.87
1.45
封装代码
4W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
配送方式
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
12
4.0
D = 0.8
3.5
D = 0.5
D = 0.3
2.5
D = 0.2
2.0
D = 0.1
1.5
T
1.0
0.5
D =吨
p
/T
t
p
5
6
0
110
120
130
140
150
0
1
2
3
4
D = 1.0
正向平均整流电流( A)
10
平均功耗( W)
外壳温度( ° C)
3.0
8
6
4
2
0
100
平均正向电流( A)
图。 1 - 最大正向电流降额曲线
图。 2 - 正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
文档编号: 89348
修订: 11月30日 - 10
新产品
VT1045C , VIT1045C
威世通用半导体
100
10 000
T
A
= 150 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
正向电流(A )
10
T
A
= 125 °C
结电容(pF )
T
A
= 100 °C
1
T
A
= 25 °C
1000
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
100
0.1
1
10
100
正向电压( V)
反向电压( V)
图。 3 - 典型的正向特性每二极管
图。 5 - 典型结电容每二极管
100
10
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流(mA )
结到外壳
10
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
1
0.1
0.01
T
A
= 25 °C
0.001
20
40
60
80
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比(% )
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 4 - 典型的反向特性每二极管
图。 6 - 每二极管典型的瞬态热阻抗
文档编号: 89348
修订: 11月30日 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
新产品
VT1045C , VIT1045C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AB
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
2
TO-262AA
0.411 ( 10.45 ) MAX 。
0.250 ( 6.35 )最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω (典型值)。
( REF )。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
文档编号: 89348
修订: 11月30日 - 10
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
相关元器件产品Datasheet PDF文档

VIT1045CHM3-4W

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
暂无信息
19 VISHAY

VIT1045C-M3-4W

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
暂无信息
15 VISHAY

VIT1060C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
12 VISHAY

VIT1060C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
14 VISHAY

VIT1060CHM3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
11 VISHAY

VIT1060C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
13 VISHAY
    VIT1045C
    应用领域和描述

    Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
    双路低压Trench MOS势垒肖特基整流器

    总5页 (124K) VISHAY TELEFUNKEN
    VISHAY TELEFUNKEN
    第一页预览: