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描述:
HLMP-CW27-1WB00  1W02G  HLMP-CW29-TY1DD  1W06GM  A31W33128T  MAX5491WB30000-T  S1WB60B  HLMP-CW39-TY1DD  MSB51WA-1  HLMP-CW39-SY1DD  
VSMG2700-GS08 高速红外发光二极管,符合RoHS , 830纳米, GaAlAs的双异质 (High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 830 nm, GaAlAs Double Hetero)
.型号:   VSMG2700-GS08
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描述: 高速红外发光二极管,符合RoHS , 830纳米, GaAlAs的双异质
High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 830 nm, GaAlAs Double Hetero
文件大小 :   137 K    
页数 : 6 页
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品牌   VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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100%
VSMG2700
威世半导体
高速红外发光二极管,符合RoHS , 830纳米,
的GaAlAs双异质
特点
•封装类型:表面贴装
•封装形式: PLCC - 2
•尺寸(单位:mm长x宽x高) : 3.5× 2.8× 1.75
•峰值波长:
λ
p
= 830 nm的
•高可靠性
•高辐射功率
94
8553
•高辐射强度
•半强度角:
ϕ
= ± 60°
•低正向电压
•适用于高脉冲电流操作
•高调制带宽:F
c
= 18 MHz的
描述
VSMG2700是红外线, 830 nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质( DH)技术,具有较高的辐射功率和
高速成型的PLCC -2封装的表面
安装( SMD ) 。
•与硅光电探测器良好的光谱匹配
•地板寿命: 4周, MSL 2A , ACC 。 J- STD- 020
•铅(Pb) -free回流焊
•铅(Pb )按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
应用
•红外辐射源进行操作与CMOS
摄像头(照明)
•高速红外数据传输
产品概述
部件
VSMG2700
I
e
(毫瓦/ SR)
10
ϕ
(度)
± 60
λ
P
(纳米)
830
t
r
(纳秒)
20
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMG2700-GS08
VSMG2700-GS18
最小起订量:最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量: 7500件, 1500件/卷
最小起订量: 8000件, 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 µs
t
p
= 100 µs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
1
180
单位
V
mA
mA
A
mW
文档编号: 81472
修订版1.2 , 04 09月08
如有技术问题,请联系: emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
307
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