WED3DG7265V75D2 [WEDC]

Synchronous DRAM Module, 64MX72, CMOS, DIMM-168;
WED3DG7265V75D2
型号: WED3DG7265V75D2
厂家: WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION    WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION
描述:

Synchronous DRAM Module, 64MX72, CMOS, DIMM-168

动态存储器
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WED3DG7265V-D2  
512MB- 64Mx72 SDRAM UNBUFFERED  
FEATURES  
DESCRIPTION  
n Burst Mode Operation  
The WED3DG7265V is a 64Mx72 synchronous DRAM module  
which consists of nine 64Mx 8 SDRAM components in TSOP- 11  
package, and one 2K EEPROM in an 8- pin TSSOP package for  
Serial Presence Detect which are mounted on a 168 Pin DIMM  
multilayer FR4 Substrate.  
n Auto and Self Refresh capability  
n LVTTL compatible inputs and outputs  
n Serial Presence Detect with EEPROM  
n Fully synchronous: All signals are registered on the positive  
edge of the system clock  
n Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 or Full Page  
n 3.3 volt 6 0.3v Power Supply  
*
This datasheet describes a product that may or may not be under development  
and is subject to change or cancellation without notice.  
n 168- Pin DIMM JEDEC  
PIN CONFIGURATIONS (FRONT SIDE/BACK SIDE)  
PIN NAMES  
Pin  
1
2
Front  
VSS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VDD  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
VSS  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
VDD  
DQ14  
DQ15  
CB0  
Pin  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
Front  
DQM1  
CS0  
DNU  
VSS  
A0  
Pin  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
Front  
DQ18  
DQ19  
VDD  
DQ20  
NC  
*VREF  
*CKE1  
VSS  
Pin  
85  
86  
Back  
VSS  
Pin  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
Back  
DQM5  
*CS1  
RAS  
VSS  
A1  
Pin  
141  
142  
143  
144  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
154  
155  
156  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
Back  
DQ50  
DQ51  
VDD  
DQ52  
NC  
*VREF  
NC  
VSS  
A0  
–
A12Address  
input  
(Multi  
Input  
BA0-1  
DQ0-63  
CB0-7  
Select Bank  
Data Input/Output  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
VDD  
3
4
87  
88  
Check bit (Data-in/data-out)  
CLK0,CLK2Clock  
Clock Enable input  
CS0,CS2Chip  
input  
5
6
89  
90  
CKE0  
A2  
A3  
select  
7
8
A4  
A6  
91  
92  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
VSS  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
VDD  
A5  
A7  
RAS  
CAS  
WE  
DQM0-7  
VDD  
VSS  
*VREF  
SDA  
Row Address Strobe  
ColumnAddress Strobe  
Write Enable  
9
A8  
A10/AP  
BA1  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
VSS  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
VDD  
93  
94  
A9  
BA0  
A11  
VDD  
*CLK1  
A12  
VSS  
CKE0  
*CS3  
DQM6  
DQM7  
*A13  
VDD  
NC  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
VSS  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
VDD  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
95  
96  
97  
DQM  
Power Supply (3.3V)  
Ground  
VDD  
VDD  
CLK0  
VSS  
DNU  
CS2  
DQM2  
DQM3  
DNU  
VDD  
NC  
98  
99  
Power supply for reference  
Serial data I/O  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
SCL  
Serial clock  
SA0-2Address  
Do not use  
No Connect  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
VSS  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
VSS  
in  
EEPR  
DQ46  
DQ47  
CB4  
DNU  
NC  
CB1  
VSS  
NC  
CB5  
VSS  
NC  
NC  
CLK2  
NC  
NC  
CB6  
CB7  
*CLK3  
NC  
CB2  
CB3  
VSS  
DQ16  
DQ17  
*
These pins are not used in this module.  
NC  
VDD  
WE  
NC  
NC  
**SA0  
** These pins should be NC in the system which  
does not support SPD.  
**SDA110  
**SCL  
VDD  
VDD  
138  
VSS  
166 1 **SA  
111  
112  
CAS  
DQM4  
139  
140  
DQ48  
DQ49  
167  
168  
**SA2  
VDD  
DQM0  
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Sept. 2002 Rev. 0  
ECO #15459  
1
WED3DG7265V-D2  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
CS0  
DQM0  
·
DQM4  
DQM  
DQM  
CS  
CS  
U0  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
U5  
DQM1  
DQM5  
DQM  
DQM  
CS  
U6  
CS  
U1  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
DQ9  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQM6  
DQM  
CS  
U2  
CB0  
CB1  
CB2  
CB3  
CB4  
CB5  
CB6  
CB7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQM  
CS  
U7  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
·
CS2  
DQM2  
DQM7  
DQM  
CS  
U3  
DQM  
CS  
U8  
Serial PD  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQM3  
DQM  
CS  
U4  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
SSCL  
SDA  
WP  
A0 A1 A2  
47K  
SA0 SA1 SA2  
U0/U3  
A0 ~ A12,BA0 & 1  
SDRAM U0 ~ U8  
SDRAM U0 ~ U8  
SDRAM U0 ~ U8  
·
U5/U7  
U1/U4  
U6/U8  
U2  
RAS  
CAS  
10  
·
CLK0/2  
·
·
WE  
SDRAM U0 ~ U8  
SDRAM U0 ~ U8  
CKE0  
*1  
3.3pF  
10Ω  
*1 : For 4 loads, CLK2 only.  
DQn  
Every DQpin of SDRAM  
10Ω  
V
DD  
·
·
·
·
CLK1/3  
One 0.1uF and one 0.22 uF Cap.  
per each SDRAM  
10pF  
To all SDRAMs  
Vss  
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Sept. 2002 Rev. 0  
ECO #15459  
2
WED3DG7265V-D2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
VIN, Vout  
VDD, VDDQ  
TSTG  
Value  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-55 ~ +150  
9
Units  
V
V
°C  
W
Voltage on any pin relative to VSS  
Voltage on VDD supply relative to VSS  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
PD  
Short Circuit Current  
IOS  
50  
mA  
Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.  
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.  
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
(Voltage Referenced to: VSS = 0V, TA = 0°C to +70°C)  
Parameter  
Supply Voltage  
Symbol  
VDD  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
-0.3  
2.4  
—
Typ  
3.3  
Max  
3.6  
Unit  
V
V
V
V
Note  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
Input Leakage Current  
3.0 VDDQ+0.3  
1
2
VIL  
—
—
—
—
0.8  
—
0.4  
10  
VOH  
VOL  
ILI  
IOH= -2mA  
IOL= -2mA  
3
V
µA  
-10  
Note: 1. VIH (max)= 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.  
2. VIL (min)= -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.  
3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ  
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State  
outputs.  
CAPACITANCE  
(TA = 23°C, f = 1MHz, VDD = 3.3V, VREF=1.4V 6200mV)  
Parameter  
Symbol  
CIN1  
CIN2  
CIN3  
CIN4  
CIN5  
CIN6  
CIN7  
Cout  
Min  
Max  
45  
45  
45  
35  
30  
15  
45  
10  
10  
Unit  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
Input Capacitance (A0-A12)  
Input Capacitance (RAS,CAS,WE)  
Input Capacitance (CKE0)  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Input Capacitance (CLK0)  
Input Capacitance (CS0,CS2)  
Input Capacitance (DQM0-DQM7)  
Input Capacitance (BA0-BA1)  
Data input/output capacitance (DQ0-DQ63)  
Data input/output capacitance (CB0-CB7)  
Cout1  
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ECO #15459  
3
WED3DG7265V-D2  
OPERATING CURRENT CHARACTERISTICS  
(VCC = 3.3V, TA = 0°C to +70°C)  
Version  
Parameter  
Operating Current  
(One bank active)  
Symbol  
ICC1  
Conditions  
Burst Length = 1  
tRC ³ tRC(min)  
133  
1,800  
100  
1,620  
Units Note  
mA  
1
IOL = 0mA  
Precharge Standby Current  
in Power Down Mode  
ICC2P  
ICC2PS  
Icc2N  
CKE £VIL(max), tCC = 10ns  
CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tcc = 10ns  
Input signals are charged one time during 20  
CKE ³ VIH(min), CLK £VIL(max), tcc = ¥  
Input signals are stable  
CKE ³ VIL(max), tCC = 10ns  
CKE & CLK £ VIL(max), tcc = ¥  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tcc = 10ns  
Input signals are changed one time during 20ns  
CKE ³ VIH(min), CLK £VIL(max), tcc = ¥  
input signals are stable  
60  
45  
mA  
Precharge Standby Current  
in Non-Power Down Mode  
270  
Icc2NS  
mA  
mA  
90  
90  
80  
Active standby current in  
power-down mode  
ICC3P  
ICC3PS  
ICC3N  
Active standby current in  
non power-down mode  
450  
315  
mA  
mA  
mA  
ICC3NS  
ICC4  
Io = mA  
Page burst  
4 Banks activated  
tCCD = 2CLK  
tRC ³ tRC(min)  
CKE £ 0.2V  
Operating current (Burst mode)  
1,800  
2,970  
1,530  
1
2
Refresh current  
Self refresh current  
ICC5  
ICC6  
2,790  
mA  
mA  
65  
Notes: 1. Measured with outputs open.  
2. Refresh period is 64ms.  
3. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS (VIH/VIL = VDDQ/VssQ)  
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ECO #15459  
4
WED3DG7265V-D2  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Speed  
CAS Latency  
CL=2  
WED3DG7265V10D2  
WED3DG7265V7D2  
WED3DG7265V75D2  
100MHz  
133MHz  
133MHz  
CL=2  
CL=3  
PACKAGE DIMENSIONS  
1.100  
57  
ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES  
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ECO #15459  
5
WED3DG7265V-D2  
REV.  
A
DATE  
REQUESTED BY  
PAUL MARIEN  
DETAILS  
3-25-02  
CREATED  
0
9-16-02  
PAUL MARIEN -CHANGED FROM ADVANCED  
TO FINAL  
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ECO #15459  
6

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