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怀特电子设计
512Kx8 SRAM模块, SMD 5962-92078
特点
访问时间20 , 25 , 35 ,为45nS
标准微电路图纸, 5962-92078
MIL -STD- 883标准的设备可用
Rad公司提供容错设备
JEDEC标准的32引脚,密封陶瓷DIP
( 300包)
商用,工业和军用温度
范围
( -55 ° C至+ 125°C )
组织为512K ×8
5V电源
低功耗CMOS
WS512K8-XCX
TTL兼容的输入和输出
电池备份操作
图1 - 引脚配置
引脚说明
A0-18
I / O 0-7
CS #
OE #
WE#
V
CC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
OUTPUT ENABLE
写使能
+ 5.0V电源
顶视图
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE#
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CS #
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
框图
A0-16
I/O0-7
WE#
OE #
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
A17
A18
CS #
解码器
2004年5月
第4版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-55
-65
-0.5
-0.5
最大
+125
+150
V
CC
+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS #
H
L
L
L
OE #
X
L
X
H
WE#
X
H
L
H
模式
待机
输出禁用
WS512K8-XCX
真值表
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 (米尔)
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
输入电容
输出capicitance
符号
C
IN
C
OUT
(T
A
= +25°C)
条件
V
IN
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
OUT
= 0V , F = 1.0MH
Z
最大
45
45
单位
pF
pF
此参数由设计保证,但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ 125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号条件
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS # = V
IH
, OE # = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS # = V
IL
, OE # = V
IH
, F = 5MH
Z
, V
CC
= 5.5
CS # = V
IH
, OE # = V
IH
, F = 5MH
Z
I
OL
= 8毫安,V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ,V
CC
= 4.5
-20
最大
10
10
210
80
0.4
-25
最大
10
10
210
60
0.4
-35
最大
10
10
210
60
0.4
-45
最大
10
10
210
55
0.4
单位
µA
µA
mA
mA
V
V
2.4
2.4
2.4
2.4
注: DC测试条件: V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
数据保持特性为低功耗“L ”版
( -55 ° C≤ TA≤ 125°C )
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
符号条件
V
DR
I
CCDR
1
CS # = V
CC
-0.2V
V
CC
= 3V
-20
-25
-35
-45
单位
V
mA
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
2.0
5.5 2.0
5.5 2.0
5.5 2.0
5.5
8.0 12.8
8.0 12.8
8.0 12.8
8.0 12.8
图2 - AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
(双极性电源供电)
I
OH
电流源
注意事项:
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
&放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
&放大器;我
OH
被调整,以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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2
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com
怀特电子设计
AC特性
(V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ 125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
1.此参数由设计保证,但未经测试。
WS512K8-XCX
-20
符号
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
20
20
3
20
10
3
0
15
12
3
0
3
最大
25
-25
最大
25
3
25
10
3
0
17
15
35
-35
最大
35
3
35
25
3
0
20
20
45
-45
最大
45
45
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
25
AC特性
(V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ 125°C)
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
1.此参数由设计保证,但未经测试。
-20
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
20
16
16
15
16
2
2
4
10
1
最大
25
20
20
15
20
2
2
5
0
1
-25
最大
35
25
25
20
25
2
2
5
0
1
-35
最大
45
30
30
25
30
2
2
5
0
1
-45
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
20
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图3 - 时序波形 - 读周期
WS512K8-XCX
t
RC
地址
t
AA
CS #
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
ACS
t
CLZ
OE #
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
读周期2 ( WE# = V
IH
)
t
CHZ
t
OHZ
数据有效
读周期1 ( CS # = OE # = V
IL
, WE# = V
IH
)
图4 - 写周期 - WE#控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS #
t
AS
WE#
t
WHZ
数据I / O
t
DW
t
WP
t
OW
t
DH
t
AH
数据有效
写周期1 , WE #控制
图5 - 写周期 - CS #控制
t
WC
地址
t
AW
t
AS
CS #
t
CW
t
AH
t
WP
WE#
t
DW
数据I / O
数据有效
写周期2 , CS #控制
t
DH
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WS512K8-XCX
套餐300 : 32引脚,陶瓷DIP封装,单腔侧钎焊
42.4 (1.670) ± 0.4 (0.016)
15.04 (0.592)
± 0.25 (0.012)
4.34 (0.171) ± 0.79 (0.031)
引脚1标识符
3.2 ( 0.125 ), MIN
0.84 (0.033)
± 0.4 (0.014)
2.5 (0.100)
典型值
1.27 (0.050)
± 0.1 (0.005)
0.46 (0.018)
± 0.05 (0.002)
0.25 (0.010)
± 0.05 (0.002)
15.25 (0.600)
± 0.25 (0.010)
所有的线性尺寸为毫米,顺便为英寸
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

WS512K8-20CCA

512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078
13 WEDC

WS512K8-20CCA

512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078
1 icpdf_datashe

WS512K8-20CI

512Kx8 SRAM MODULE, SMD 5962-92078
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WS512K8-20CI

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6 WEDC