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怀特电子设计
WV3EG265M64EFSU-D4
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM缓冲, W / PLL
特点
双倍数据速率架构
PC2700和PC2100
双向数据选通( DQS)
差分时钟输入( CK & CK # )
可编程只读延迟2 , 2.5 (时钟)
可编程的突发长度( 2,4,8 )
可编程突发类型(顺序&交错)
汽车和自刷新( 8K / 64ms的刷新)
串行存在检测与EEPROM
电源: V
CC
/V
CCQ
: 2.5V ± 0.2V
双列
200针SO-DIMM封装
封装高度选项:
D4 : 31.75毫米( 1.25“ )
*本产品如有变更,恕不另行通知。
描述
该WV3EG265M64EFSU是2x64Mx64双数据
基于512Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM部分。该模块由16
64Mx8位与FBGA封装4银行的DDR SDRAM
装在一个200引脚的基板。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能
存储器系统的应用程序。
注:可用性咨询工厂:
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
工作频率
DDR333 @ CL = 2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266 @ CL = 2
133MHz
2-2-2
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
2005年10月
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1
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怀特电子设计
引脚配置
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
SYMBOL PIN #
V
REF
51
V
REF
52
53
V
SS
V
SS
54
DQ0
55
DQ4
56
DQ1
57
DQ5
58
59
V
CC
V
CC
60
DQS0
61
DM0
62
DQ2
63
DQ6
64
65
V
SS
V
SS
66
DQ3
67
DQ7
68
DQ8
69
DQ12
70
V
CC
71
72
V
CC
DQ9
73
DQ13
74
DQS1
75
DM1
76
V
SS
77
V
SS
78
DQ10
79
DQ14
80
DQ11
81
DQ15
82
V
CC
83
V
CC
84
CK0
85
V
CC
86
CK0#
87
V
SS
88
V
SS
89
V
SS
90
DQ16
91
DQ20
92
DQ17
93
DQ21
94
95
V
CC
V
CC
96
DQS2
97
DM2
98
DQ18
99
DQ22
100
SYMBOL PIN #
V
SS
101
V
SS
102
DQ19
103
DQ23
104
DQ24
105
DQ28
106
V
CC
107
V
CC
108
DQ25
109
DQ29
110
DQS3
111
DM3
112
V
SS
113
V
SS
114
DQ26
115
DQ30
116
DQ27
117
DQ31
118
V
CC
119
V
CC
120
NC
121
NC
122
NC
123
NC
124
V
SS
125
V
SS
126
NC
127
NC
128
NC
129
NC
130
V
CC
131
V
CC
132
NC
133
NC
134
NC
135
NC
136
V
SS
137
V
SS
138
NC
139
V
SS
140
NC
141
V
CC
142
V
CC
143
V
CC
144
CKE1
145
CKE0
146
NC
147
NC
148
A12
149
A11
150
SYMBOL PIN #
A9
151
A8
152
V
SS
153
V
SS
154
A7
155
A6
156
A5
157
A4
158
A3
159
A2
160
A1
161
A0
162
V
CC
163
V
CC
164
A10
165
BA1
166
BA0
167
RAS #
168
WE#
169
CAS #
170
CS0#
171
CS1#
172
NC
173
NC
174
V
SS
175
V
SS
176
DQ32
177
DQ36
178
DQ33
179
DQ37
180
V
CC
181
V
CC
182
DQS4
183
DM4
184
DQ34
185
DQ38
186
V
SS
187
V
SS
188
DQ35
189
DQ39
190
DQ40
191
DQ44
192
V
CC
193
V
CC
194
DQ41
195
DQ45
196
DQS5
197
DM5
198
V
SS
199
V
SS
200
符号
DQ42
DQ46
DQ43
DQ47
V
CC
V
CC
V
CC
NC
V
SS
NC
V
SS
V
SS
DQ48
DQ52
DQ49
DQ53
V
CC
V
CC
DQS6
DM6
DQ50
DQ54
V
SS
V
SS
DQ51
DQ55
DQ56
DQ60
V
CC
V
CC
DQ57
DQ61
DQS7
DM7
V
SS
V
SS
DQ58
DQ62
DQ59
DQ63
V
CC
V
CC
SDA
SA0
SCL
SA1
V
CCSPD
SA2
NC
NC
WV3EG265M64EFSU-D4
引脚说明
A0-A12
BA0-BA1
DQ0-DQ63
DQS0-DQS7
CK0 , CK0 #
CKE0 , CKE1
CS0 # , CS1 #
RAS #
CAS #
WE#
DM0-DM7
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
NC
地址输入(复用)
银行选择地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
数据掩码
电源( 2.5V )
电源的DQS ( 2.5V )
电源为参考
串行EEPROM电源
( 2.3V至3.6V )
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
无连接
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2
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怀特电子设计
WV3EG265M64EFSU-D4
功能框图
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
BA0-BA1
A0-A12
RAS #
CAS #
WE#
CS1#
CS0#
BA0 - BA1 : DDR SDRAM的
A0 - A12 : DDR SDRAM的
RAS # : DDR SDRAM的
CAS # : DDR SDRAM的
WE# : DDR SDRAM的
CS1 # : DDR SDRAM的
CS0 # : DDR SDRAM的
串行PD
CK0
CK0#
PLL
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
V
CCSPD
V
CC
/V
CCQ
V
REF
V
SS
SPD
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
SCL
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
SDA
注:所有datalines通过一个22欧姆的串联电阻端接
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怀特电子设计
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
在V电压
CCQ
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路电流
WV3EG265M64EFSU-D4
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5到3.3
-1.0到3.6
-1.0到3.6
-55到+150
0至+70
16
50
单位
V
V
V
°C
°C
W
mA
注意:
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC特性
0°C
T
A
70℃ ,V
CC
= 2.5V ± 0.2V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
V
IN
(DC)的
V
ID
(DC)的
V
IX
(DC)的
地址, CAS# ,
RAS # , WE#
CS # , CKE
CK , CK #
DM
参数
电源电压DDR266 / DDR333 (标称V
CC
2.5V的)
I / O电源电压DDR266 / DDR333 (标称V
CC
2.5V的)
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平, CK和CK #
输入差分电压, CK和CK #
输入交叉点电压, CK和CK #
2.3
2.3
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-32
-16
-10
-4
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.30
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.30
V
CCQ
+0.60
V
CCQ
+0.60
32
16
-10
4
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
1
2
3
输入漏电流
I
I
输出漏电流
高输出电流(正常strengh ) ; V
OUT
= V +0.84V
高输出电流(正常strengh ) ; V
OUT
= V
TT
-0.84V
高输出电流(半strengh ) ; V
OUT
= V
TT
+0.45V
高输出电流(半strengh ) ; V
OUT
= V
TT
-0.45V
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
注意事项:
1. V
REF
预计是等于0.5 * V
CCQ
发送设备的,并跟踪变化的相同的DC电平。峰到峰的V噪音
REF
不得超过直流±2%
价值
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器,被设置等于V
REF
的,必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平,并在CK#的输入电平之间的差的量值。
电容
V
CC
= 2.5V, V
CCQ
= 2.5V ,T
A
= 25 ° C,F = 1MHz的
参数
输入电容( A0 - A12 , BA0 - BA1 , RAS # , CAS # , WE# )
输入电容( CKE0 , CKE1 )
输入电容( CS0 # , CS1 # )
输入电容( CLK0 , CLK0 # )
输入电容( DM0 - DM7 )
数据和DQS输入/输出电容( DQ0 - DQ63 )
2005年10月
第1版
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
28
16
16
6
11
11
最大
44
24
24
7.5
13
13
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
4
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怀特电子设计
WV3EG265M64EFSU-D4
I
DD
规格和测试条件
推荐的工作条件下, 0 ℃,
T
A
70℃ ,V
CCQ
= 2.5V ± 0.2V, V
CC
= 2.5V ± 0.2V
参数
符号
条件
一台设备的银行活动的;主动预充电;吨
RC
= t
RC (分钟)
;
t
CK
= t
CK (分钟)
; DQ , DM和DQS输入每个时钟改变一次
周期;地址和控制输入,每两换一次
时钟周期
一台设备的银行;主动读预充电; BL = 4;
t
RC
= t
RC (分钟)
; t
CK
= t
CK (分钟)
; I
OUT
= 0毫安;地址和控制
输入每时钟周期一次改变
所有器件的银行处于闲置状态;掉电模式;吨
CK
= t
CK (分钟)
;
CKE =低
CS # =高;所有器件的银行处于闲置状态;吨
CK
= t
CK (分钟)
;
CKE =高;地址和其它控制输入一次改变
每个时钟周期。 V
IN
= V
REF
针对DQ , DQS和DM
一台设备的银行活动的;掉电模式;吨
CK
= t
CK (分钟)
;
CKE =低
CS # =高; CKE =高;一台设备的银行活动的;
t
RC
= t
RAS (最大)
; t
CK
= t
CK (分钟)
; DQ , DM和DQS输入变化
每两次时钟周期;地址和其它控制输入
每个时钟周期改变一次
突发= 2;读取;可连拍;一台设备的银行活动的;
地址和其它控制输入每个时钟改变一次
周期;吨
CK
= t
CK (分钟)
; I
OUT
= 0毫安
突发= 2;写;可连拍;一台设备的银行活动的;
地址和其它控制输入每个时钟改变一次
周期;吨
CK
= t
CK (分钟)
; DQ , DM和DQS输入两次更改每
时钟周期
t
RC
= t
RFC (分钟)
CKE < 0.2V
四大银行设备读操作交错突发= 4 ,支持自动
预充电;吨
RC
= t
RFC (分钟)
; t
CK
= t
CK (分钟)
;地址和控制
输入过程中主动只读改变,或写命令
DDR333 @
CL = 2.5
DDR266 @
CL = 2
DDR266 @
CL = 2.5
单位
工作电流
I
DD0*
1360
1240
1240
mA
工作电流
Percharge加电
向下待机电流
空闲待机电流
主动掉电
待机电流
主动待机
当前
I
DD1*
1600
1480
1480
mA
I
DD2P**
360
360
360
mA
I
DD2F**
1000
920
920
mA
I
DD3P**
840
760
760
mA
I
DD3N**
1080
1000
1000
mA
工作电流
I
DD4R*
1640
1480
1480
mA
工作电流
I
DD4W*
1720
1400
1400
mA
自动刷新当前
自刷新电流
Orerating电流
I
DD5**
I
DD6**
I
DD7*
4920
360
3560
4760
360
3120
4760
360
3120
mA
mA
mA
注意:
I
DD
特定网络阳离子是基于美光组件。其它DRAM制造商特定网络连接的阳离子可以是不同的。
*数值计算为一个模块级的这种运行状态和所有其他模块行列我
DD2P
( CKE LOW )模式。
**重新计算学分佛罗里达州的所有模块的价值排在此操作条件。
AC运行试验条件
参数/条件
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
输入差分电压, CK和CK #输入
输入交叉点电压, CK和CK3输入
符号
V
IH (AC)的
V
白细胞介素(AC)的
V
的ID (AC)的
V
IX( AC)
0.7
0.5*V
CCQ
-0.2
V
REF
+0.31
V
REF
-0.31
V
CCQ
+0.6
0.5*V
CCQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
2005年10月
第1版
5
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相关元器件产品Datasheet PDF文档

WV3EG264M64EFSU262D4-SG

1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
26 WEDC

WV3EG264M64EFSU265D4-MG

1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
1 WEDC

WV3EG264M64EFSU265D4-SG

1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
2 WEDC

WV3EG264M64EFSU335D4MG

1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
4 WEDC

WV3EG264M64EFSU335D4-MG

1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
1 WEDC