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AH5795  AH5771  AH5792  AH5795-WU-7  AH531  AH5792_10  AH5795-FDC-7  AH5771-PG-B  
WV3EG264M64EFSU262D4-SG 1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM缓冲, W / PLL (1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL)
.型号:   WV3EG264M64EFSU262D4-SG
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描述: 1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM缓冲, W / PLL
1GB- 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED, w/PLL
文件大小 :   149 K    
页数 : 10 页
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品牌   WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
购买 :   
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怀特电子设计
WV3EG265M64EFSU-D4
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM缓冲, W / PLL
特点
双倍数据速率架构
PC2700和PC2100
双向数据选通( DQS)
差分时钟输入( CK & CK # )
可编程只读延迟2 , 2.5 (时钟)
可编程的突发长度( 2,4,8 )
可编程突发类型(顺序&交错)
汽车和自刷新( 8K / 64ms的刷新)
串行存在检测与EEPROM
电源: V
CC
/V
CCQ
: 2.5V ± 0.2V
双列
200针SO-DIMM封装
封装高度选项:
D4 : 31.75毫米( 1.25“ )
*本产品如有变更,恕不另行通知。
描述
该WV3EG265M64EFSU是2x64Mx64双数据
基于512Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM部分。该模块由16
64Mx8位与FBGA封装4银行的DDR SDRAM
装在一个200引脚的基板。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能
存储器系统的应用程序。
注:可用性咨询工厂:
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
工作频率
DDR333 @ CL = 2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266 @ CL = 2
133MHz
2-2-2
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
2005年10月
第1版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com
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