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CT-6MP203  CT6MP205  CT646FYF-8R2M  CT646FYF-5R6M  CT6MP203  CT646FYF-471K  CT-64995F  CT646FYF-390M  CT646FYF-6R8M  CT-65493F  
WV3EG264M72ESFR262D4-MG 1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM注册瓦特/ PLL (1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED, w/PLL)
.型号:   WV3EG264M72ESFR262D4-MG
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描述: 1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM注册瓦特/ PLL
1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM REGISTERED, w/PLL
文件大小 :   181 K    
页数 : 11 页
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品牌   WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
购买 :   
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怀特电子设计
WV3EG264M72ESFR-D4
高级*
1GB - 2x64Mx72 DDR SDRAM注册瓦特/ PLL
特点
200针SO -DIMM ,双列直插式内存模块
快速数据传输率: PC2100和PC2700
利用266和333 Mb / s的DDR SDRAM
组件
V
CC
= V
CCQ
= 2.5V ±0.2V
双向数据选通( DQS )选项
差分时钟输入( CK和CK # )
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
可编程突发:长度( 2 , 4 , 8 )
可编程只读#延迟( CL ) : 2和2.5
(CLOCK )
串行存在检测( SPD )与EEPROM
汽车,自刷新: 64毫秒/ 8,192刷新周期
金缘接触
双列
封装选项
• 200针SO-DIMM
• PCB - 31.75毫米( 1.25" )最大
*本产品正在开发中,是不是对外贸易资质网络编辑或特点,并须
更改或取消,恕不另行通知。
注:可用性咨询工厂:
•符合RoHS标准的产品
•供应商源控制选项
•工业温度选项
描述
该WV3EG264M72ESFR是2x64Mx72双数据
率DDR SDRAM高密度模块。此内存
模块由18 64Mx8位与4银行DDR
同步DRAM的FBGA封装,安装在
200针SO -DIMM FR4基板。
工作频率
DDR333 @ CL = 2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266 @ CL = 2
133MHz
2-2-2
DDR266 @ CL = 2.5
133MHz
2.5-3-3
2005年8月
第0版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com
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