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2SB776
2SD886
2SB776 PNP外延平面晶体管
2SD886 NPN外延平面晶体管
P B
铅(Pb ) - 免费
TO-126
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
1
2
3
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总Cevice Disspation TA = 25℃
结温
贮藏期温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
TJ
TSTG
PNP/2SB776
-50
-50
-5.0
-3.0
1.0
NPN/2SD886
50
50
5.0
3.0
单位
V
V
V
A
W
+150
-55到+150
°C
器件标识
2SB776 = B776 , 2SD886 = D886
ELECTORICAL特性
特征
收集发射极击穿电压(I
C
= -5 / 5毫安,我
B
=0)
收集 - 基极击穿电压(I
C
= -100 / 100 μA ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= -100 / 100 μA ,我
C
=0)
集电极截止电流(V
CB
= -50 / 50 V,I
E
=0)
发射极截止电流(V
EB
= -3.0 / 3.0VDC ,我
C
=0)
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
-50/50
-50/50
-5.0/5.0
-
-
最大
-
-
-
-1.0/1.0
-1.0/1.0
单位
V
V
V
µA
µA
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2SB776
2SD886
电气特性
( TA = 25°C除非另有说明) ( Countinued )
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益*
( IC = -1.0 / 1.0 , VCE = -2.0 / 2.0V )
直流电流增益*
( IC = -20/20毫安, VCE = -2.0 / 2.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = -2.0 / 2.0 A , IB = -0.2 / 0.2A )
基射极饱和电压
( IC = -2.0 / 2.0 A , IB = -0.2 / 0.2A )
跃迁频率
( IC = -0.1 / 0.1毫安, VCE = -5.0 / 5.0 V , F = 10MHz时)
集电极输出电容
( IE = 0 , VCB = 10V , F = 1MHz的)
的hFE
(1)
的hFE
(2)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
fT
COB
100
100
-
-
-
-
-
-
-
-
400
-
-0.5/0.5
-2.0/2.0
-
-
V
V
80
45
-
-
兆赫
pF
*脉冲测试
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2SB776
2SD886
典型特征
2SB776
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2SB776
2SD886
典型特征
2SD886
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2SB776
2SD886
TO- 126外形尺寸
单位:mm
G
A
B
TO-126
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
S
米斧
2.500
2.900
1.100
1.500
0.660
0.860
1.170
1.370
0.450
0.600
7.400
7.800
10.600
11.000
2.290TYP
4.480
4.680
15.300
15.700
2.100
2.300
3.900
4.100
3.200
3.000
H
D
L
J
K
M
C
E
S
φ
φ
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    应用领域和描述
    晶体晶体管

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    2SB776 PNP外延平面晶体管, 2SD886 NPN外延平面晶体管

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