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PDC2P04AC  
2SD886 2SB776 PNP外延平面晶体管, 2SD886 NPN外延平面晶体管 (2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors, 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors)
.型号:   2SD886
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描述: 2SB776 PNP外延平面晶体管, 2SD886 NPN外延平面晶体管
2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors, 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors
文件大小 :   172 K    
页数 : 5 页
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品牌   WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
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100%
2SB776
2SD886
2SB776 PNP外延平面晶体管
2SD886 NPN外延平面晶体管
P B
铅(Pb ) - 免费
TO-126
1.EMITTER
2.COLLECTOR
3.BASE
1
2
3
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总Cevice Disspation TA = 25℃
结温
贮藏期温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
TJ
TSTG
PNP/2SB776
-50
-50
-5.0
-3.0
1.0
NPN/2SD886
50
50
5.0
3.0
单位
V
V
V
A
W
+150
-55到+150
°C
器件标识
2SB776 = B776 , 2SD886 = D886
ELECTORICAL特性
特征
收集发射极击穿电压(I
C
= -5 / 5毫安,我
B
=0)
收集 - 基极击穿电压(I
C
= -100 / 100 μA ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= -100 / 100 μA ,我
C
=0)
集电极截止电流(V
CB
= -50 / 50 V,I
E
=0)
发射极截止电流(V
EB
= -3.0 / 3.0VDC ,我
C
=0)
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
-50/50
-50/50
-5.0/5.0
-
-
最大
-
-
-
-1.0/1.0
-1.0/1.0
单位
V
V
V
µA
µA
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/5
14-Apr-08
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