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SFP12N60
硅N沟道MOSFET
特点
�½
�½
�½
�½
�½
12A , 600V ,R
DS ( ON)
(Max0.65Ω)@V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型值39nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这股力量
MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形, DMOS technology.This最新的技术已经
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。这器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源
电源供电,
因数校正和半桥和全桥谐振拓扑
行一个电子镇流器。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
2.0
-55~150
300
W/℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
7.6
48
±30
880
25
4.5
250
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
600
12
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到 - 环境
价值
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.50
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Aug.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司,保留所有权利。
SFP12N60
电气特性( TC = 25 ℃ )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷(栅源
Qg
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极( "miller" )充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
nC
I
D
=1A
(Note4,5)
-
-
7.5
18.5
-
-
tf
花花公子
R
G
=9.1Ω
R
D
=31Ω
V
DD
=400V,
-
39
56
(Note4,5)
-
-
130
100
270
210
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
测试条件
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
I
G
= ±10 μA ,V
DS
=0V
V
DS
=500V,V
GS
=0V
I
D
= 250 μA ,V
GS
=0V
I
D
=250µA,Referenced
-
±30
-
600
-
TYPE
-
-
-
-
0.5
-
0.37
15
1580
180
20
25
100
最大
±100
-
1
-
-
4.5
0.65
单位
nA
V
µA
V
V/℃
V
S
至25 ℃
V
DS
=10V,I
D
=250 µA
V
GS
=10V,I
D
=6.0A
V
DS
=50V,I
D
=6.0A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=250V,
I
D
=12A
3
-
-
-
-
-
-
-
2055
235
25
60
210
ns
pF
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25℃)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=12A,V
GS
=0V
I
DR
=12A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
418
4.85
最大
12
48
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
µC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L = 11.2mH我
AS
=12A,V
DD
=50V,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤12A,di/dt≤300A/us,V
DD
<BV
DSS
,起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
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稳定,全方位为您提前
SFP12N60
图1在-State特点
图2传输特性
图3电容变化VS
漏极电压
图4击穿电压
变化与温度
图5在-Resistance VS变化
结温
图6栅极电荷特性
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稳定,全方位为您提前
SFP12N60
Fig.7Maximum安全工作区
图8最大漏极电流与
外壳温度
图9瞬态热响应曲线
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SFP12N60
图10门测试电路波形&
图11电阻开关测试电路波形&
图12松开电感式开关测试电路波形&
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