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BZX84-B9V1  S-80810CNMC-B9N-T2  COP8SGB9DWF7  S-80830CNNB-B9N-T2  S-80855CNNB-B9G-T2  BZV55-B9V1  S-80808CLNB-B9M-T2  COP8SGB9DWF8  S-80880CNNB-B9M-T2  S-80830CLNB-B9N-T2  
SFP13N50 硅N沟道MOSFET (Silicon N-Channel MOSFET)
.型号:   SFP13N50
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描述: 硅N沟道MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
文件大小 :   633 K    
页数 : 7 页
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品牌   WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
购买 :   
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100%
SFP13N50
P13N50
硅N沟道MOSFET
特点
�½
�½
�½
�½
�½
13A , 500V ,R
DS ( ON)
(Max0.46Ω)@V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型值43nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi的advancedplanar生产
条纹, DMOS technology.This最新的技术有beenespecially
旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的坚固
雪崩特性。这种装置是专门为wellsuited
高效率开关模式电源,功率因数校正
和半桥和全桥谐振拓扑行电子
灯镇流器。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
1.56
-55~150
300
W/℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
8
52
±30
845
5
3.5
195
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
500
13
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到 - 环境
价值
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.64
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的2010年10月
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